Реле регулятор втн: Регулятор напряжения 9111.3702

Содержание

Регулятор напряжения 9111.3702

Применяемость: автомобили ВАЗ-2108, -2109, -2110, -2111, -2112, -2113, -2114, -2115, -2121 и др. с генераторами 94.3701, 9402.3701, 9412.3701, 977.3701, 3202.3771, Г2112Е, ELD-A-2110, ELD-A-21214, ELD-A-2123, A125/10/-14V-80A, A125/11/-14V-80A, A125/1001/-14V-105A, A125/1002/-14V-125A; автомобили “Daewoo Lanos” 1.4i, “Daewoo Sens”, “Славута”, “Таврия” после 2004 г.в. и др. с генераторами 97Т.3701, 97S.3701; автомобили ГАЗ, УАЗ с генераторами 9422.3701, 3212.3771, 3282.3771 и др. 

Регулятор напряжения 9111.3702 предназначены для работы в комплекте с “кальциевыми” и др. аккумуляторными батареями, требующими повышенное напряжение заряда. 

Данные автомобильные регуляторы — регуляторы нового поколения. Благодаря применению мощного современного MOSFET транзистора в качестве выходного ключа резко понижены потери мощности, выделяемые в виде тепла, увеличена надежность изделия в целом. 

Благодаря использованию дополнительного провода, напряжение на генераторе поддерживается непосредственно на выходе генераторной установки. При этом достигнуты высочайшие параметры токоскоростной и нагрузочной характеристики. Это продлевает срок службы аккумуляторной батареи, обеспечивает оптимальные режимы работы всех потребителей электроэнергии, повышая, таким образом, надежность всего электрооборудования автомобиля. 

Регуляторы выпускаются в климатическом исполнении О2.1 по ГОСТ 15150 для внутреннего рынка и на экспорт. По степени защиты от проникновения посторонних тел и воды изделие соответствует исполнению IP57 по ГОСТ 14254. Рабочий режим регуляторов — S1 по ГОСТ 3940. 

Регуляторы устанавливаются непосредственно на генераторе, где предусмотрена установка регуляторов 9402.3702, 9333.3702, 9111.3702 и их модификаций, при помощи штатных винтов. 

Автоваз 51023771060Реле регулятор напряжения 5102.3771.060 ВТН (ВАЗ 2108,10,15, Газель с ген. 5102.3771 и модификации)

Свернуть карточку товараСамый дешевый

410 ₽

понедельник 18.04

Самый быстрый

410 ₽

понедельник 18.04

Уровень цен: ОПТ

Выбрать пункт выдачи заказов на карте

Запрошенный номер

Производитель и номер

Описание

Наличие

Срок

Цена

51023771060

Реле регулятор напряжения 5102.3771.060 ВТН (ВАЗ 2108,10,15, Газель с ген. 5102.3771 и модиф

19 шт.

410 ₽

Реле регулятор напряжения 5102.3771.060 ВТН (ВАЗ 2108,10,15, Газель с ген. 5102.3771 и модиф

19 шт.

605 ₽

Регулятор напр. 2123,2110-2170 (881.3702) Орбита (

1 шт.

894 ₽

Аналоги для номера

Производитель и номер

Описание

Наличие

Срок

Цена

На нашем складе

Регулятор напряжения в сб. с щёточным узлом УАЗ

1 шт.

532 ₽

Другие предложения

5102.3771.060 Регулятор напряжения со щеточным узлом 5102.3771.060 ( аналог 881.3702) Генераторы 51-

1 шт.

431 ₽

5102.3771.060 ELTRA Регулятор напряжения со щеточным узлом

4 шт.

445 ₽

Еще 10 предложений из 37 

от 1 дн

от 449 ₽

881.3702 Регулятор напряжения 881.3702 со щет. узлом АНАЛОГ 5102.3771.060 Орбита

1 шт.

292 ₽

881.3702 Регулятор напряжения ПРАМО,приора н/о

781 шт.

301 ₽

Интегралка /2110/ с генер. Ржев

76 шт.

320 ₽

Еще 10 предложений из 55 

от 1 дн

от 326 ₽

Регулятор напряжения со щеточным узлом 881.3702/К1216ЕН1 (на генератор 5102.3771)

4 шт.

524 ₽

Регулятор напряжения со щ.у.(аналог 881.3702)Генераторы 51-й серии

14 шт.

552 ₽

Регулятор напряжения со щ.у.(аналог 881.3702)Генераторы 51-й серии

19 шт.

552 ₽

Щеткодержатель с регулятором (генератор 5122,5102)

2 шт.

619 ₽

Еще 8 предложений 

от 3 дн

от 641 ₽

Щётка генератора 406, ВАЗ (ПРАМО) (регулятор напряжения)

10 шт.

837 ₽

Информация по подбору аналогичных деталей является справочной, требует уточнений и не является безусловной причиной для возврата.
Изображение детали на фотографии может отличаться от аналогов. В наименовании запчастей допускаются ошибки из-за не точности перевода с иностранных прайсов.

Реле регулятор КАМАЗ-ЕВРО-2,3 напряжения генератора 4542.3771ВТН 4542.3771.060

Многофункциональный регулятор напряжения 4542.3771.060 предназначен для поддержания напряжения бортовой сети автомобиля в заданных пределах во всех режимах работы системы электрооборудования при изменении частоты вращения ротора генератора, электрической нагрузки, температуры окружающей среды.
Применяемость: автомобили КАМАЗ (Евро-2, Евро-3),К-744 с генератором 4542.3771 и модификации.
Регулятор напряжения 4542.3771.060 обеспечивает полное отключение обмотки возбуждения генератора от бортовой сети, что повышает надежность и безопасность системы электроснабжения.
Индикация повышенного и пониженного напряжения бортовой сети автомобиля, а также низкого фазного напряжения генератора осуществляется свечением штатного индикатора контроля заряда аккумуляторной батареи на приборной панели. Регулятор напряжения 4542.3771.060 обладает функцией плавного нарастания тока нагрузки, а также функцией защиты от короткого замыкания в выходной и в индикаторной цепи.
Контроль и регулирование напряжения производятся непосредственно на выходной клемме генератора — по такому принципу строятся все схемы электроснабжения современных зарубежных автомобилей высокого класса. Контроль запуска генератора, а также контроль частоты вращения его вала производится непосредственно на одной из выходных силовых обмоток. В своем составе регулятор имеет помехоподавительный конденсатор.
Многофункциональный регулятор напряжения 4542.3771.060 выпускается в климатическом исполнении О2.1 по ГОСТ 15150 для внутреннего рынка и на экспорт. По степени защиты от проникновения посторонних тел и воды изделие соответствует исполнению IP67 по ГОСТ 14254. Рабочий режим регулятора — продолжительный номинальный S1 по ГОСТ 3940.

Регулятор устанавливается непосредственно на генераторе, где предусмотрена установка регуляторов 4542.3771.060 при помощи штатных крепежных элементов.

Технические данные:

Диапазон рабочих температур, °С -50.. +110
Напряжение регулирования с АБ при t°=(25 ± 2)°С и нагрузке генератора 5А, В 28,5 ± 0,15
Напряжение регулирования с АБ при t°=(25 ± 2)°С в диапазоне нагрузки генератора от 5А до 0,9·Imax*, В 28,05 .. 28,65
Максимальный ток выходной цепи, А 5,0
Термокомпенсация Uрег, мВ/°С -10 ± 2
Максимальное остаточное напряжение на выходе «DF», В 0,2
Порог срабатывания индикации низкого фазного напряжения, В 14,5 .. 17,5
Порог срабатывания индикации пониженного напряжения, В 21,8 .. 23.2
Порог срабатывания индикации повышенного напряжения, В 31,3 .. 32,7
Максимально допустимое длительное воздействие повышенного напряжения питания, В 36,0
Максимально допустимые импульсные перенапряжения по ГОСТ 28751 в составе генератора, В 200,0

9333.3702-25 в Челябинске по низкой цене

Запчасти двигателя

Двигатель в сборе

Система питания

Система выпуска газов

Система охлаждения

Система электронного управления двигателем, смазки


Запчасти трансмиссии

Сцепление

Коробка передач

Коробка раздаточная

Гидросистема

Гидравлический привод мостов

Передача карданная

Мост передний ведущий

Мост задний

Мост средний (промежуточный)

Механизм поворота и бортовая передача


Запчасти ходовой части

Рама

Подвеска автомобиля

Ось передняя (задняя для переднеприводных)

Колеса и ступицы

Гусеницы и катки опорные

Ходовая часть


Запчасти механизмов управления

Управление рулевое

Тормоза

Механизм управления


Запчасти кузова

Кузов

Кабина

Детали основания (Пол кузова)

Окно ветровое и заднее

Передок

Боковина кузова

Задок

Крыша

Тент открытого кузова

Дверь (передняя)

Дверь задняя

Дверь задка

Дверь сдвижная

Замок центральный

Кабина трактора

Сиденье водителя

Сиденье пассажирское

Сиденье заднее

Сиденье одноместное

Сиденье трехместное

Перегородка водителя

Оборудование специализированное

Отопление и вентиляция

Принадлежности

Капот, крылья, облицовка радиатора (оперение)

Платформа

Устройство подъемное и опрокидывающее платформы


Электрооборудование

Электрооборудование

Приборы и датчики

Радиооборудование


Дополнительное автомобильное оборудование

Седельное устройство

Оборудование для отбора мощности

Оборудование дополнительное

Навесное оборудование


Автомобильные принадлежности

Водительские инструменты и принадлежности


Прочие запчасти

Новое. Электрооборудование на интернет-аукционе Au.ru

 Модель 1997 г., модификация 2002 г. Регулятор наивысшего класса.

В качестве выходного ключа применен мощный современный полевой транзистор, резко понижена мощность рассеяния, увеличена надежность.

Благодаря использованию дополнительного провода, напряжение на генераторе поддерживается непосредственно на выходной клемме генератора.

При этом достигнуты высочайшие параметры токоскоростной и нагрузочной характеристики, что продливает срок службы аккумуляторной батареи, обеспечивает всем потребителям электроэнергии соответствующие режимы, повышая надежность всего электрооборудования автомобиля.

 Предназначение

Поддержание напряжения бортовой сети автомобиля в заданных пределах во всех режимах работы системы электрооборудования при изменении частоты вращения ротора генератора, электрической нагрузки, температуры окружающей среды.

 Исполнение

единое климатическое исполнение 02.1 по ГОСТ 15150 (модель 1997г. — У2.1 по ГОСТ 15150) для внутреннего рынка и на экспорт

 Степень защиты от проникновения посторонних тел и воды

 — Соответствуют исполнению 1Р68 по ГОСТ 14254. От проникновения влаги защищены специальным высокотеплопроводным компаундом с рабочей температурой до 200 °С.

 — Работоспособность и соответствие параметров изделия сохраняются даже при погружении регулятора в воду при условии защиты разъемных соединений.

 — Все электроконтактные соединительные элементы регулятора изготовлены из латунного проката с гальваническим покрытием, что гарантирует отсутствие коррозии, и, соответственно, надежные электрические соединения в течение длительного срока службы.

 Рабочий режим

S1 по ГОСТ 3940.

 Установка

Непосредственно на генераторе, где предусмотрена установка регуляторов 1702.3702-01 при помощи штатных винтов.

 Применяемость

Автомобили ВАЗ-1111, ВАЗ-2108, ВАЗ-2109, ВАЗ-2110, ВАЗ-21213 с генератором 37.3701 или его модификациями.

Регулятор напряжения 1702.3702-01 является функционально улучшенным аналогом регулятора 1702.3702.

Регулятор напряжения втн


Регулятор напряжения VTN 9111.3702 — Лада 21099, 1.5 л., 2005 года на DRIVE2

Привет!
Наверно нужная статейка, но надо было ее писать перед зимой! 😉

Правильное напряжение на борту — очень важный момент в автомобиле.
Ведь при нормальной напруге в первую очередь дольше проживет АКБ. Как ни крути, а недозаряд хронический приводит к сульфатации свинцовых пластин, или по-народному — ускоренной смерти аккумулятора. Хронические недозаряды чреваты тем, что пластины покроются белым налетом, и даже стационарными зарядными устройствами батарею оживить уже не получится.
К тому же при правильной напруге и свет поярче, и печка пошустрее крутит! Особенно важна тема питания тем, кто увлекается громким звуком!
Нормальный зарядный режим батареи обеспечивается напряжением 14.2 +/- 0,5 вольта. Все что ниже — это уже не норма, недозаряд АКБ.
На древних автомобилях нормой было 14 вольт, на современных авто в районе 14.5.
Того берем все вольтметры и идем проверять напряжение на своем автомобиле! Если при включенной печке, ближнем свете у вас меньше 14.2 — то необходимо задуматься!

Недавно я провел профилактику генератора, заменил подшипники и регулятор напряжения на стандартный к1216ен1. Потом от нечего делать захотел подключить вольтметр для контроля просадки напряжения при громком слушании музыки. И удивился, без нагрузки напряжение было 13.7, с нагрузкой печки, света и музыки — падало до 12.8. Провел усиленный плюс от генератора к аккумулятору кабелем кг16, сделал доп массу с двигателя на АКБ, и с аккумулятора на кузов! Выиграл 0,1 вольта. Все равно мало и не нормально.
Тогда стало ясно что беда в регуляторе! На рынок придешь — из 5, только 1 рабочий попадется.
На форуме одни впаивают доп диод в генератор и тем самым поднимают напругу примерно на 1 вольт, вторые поголовно покупают 3 уровневые реле производства Электромаш. Лично у меня стоял этот регулятор, который был снят буквально через 10 минут работы! На минимальном и среднем положении напряжение было ниже нормы, а на максимальном — выше 14.5, что уже плохо, ведь перезаряд чреват кипением АКБ, разложением воды на кислород и водород, понижением уровня электролита и ожидаемой смертью АКБ! ;)))
И случайно на форуме я нашел отзыв человека, который приобрел регулятор производства ВТН, город Винница, Украина! Если кратко, то они уже все сделаны на современной базе, уже с повышенным напряжением. Я приобрел регулятор 9111.3702, хитрость его в том, что с него выходит провод, который вешается на + генератора, и тем самым контролирует напряжение прям на выходе генератора!
Установка заняла 10 минут с перекурами и поисками маленькой отвертки!
После запуска — без нагрузки напряжение стало 14.3, при включении ближнего света и фар — напряжение осталось прежним, что очень удивило! Покатавшись пару дней и внимательно следив за показаниями вольтметра, напруга всегда держится в диапазоне 14.3-14.5!
Естественно свет стал ярче, белее, и самое главное, что при жестких неграх — усилитель не уходит в защиту, как это было раньше!
Так что доволен этим устройством, и всем советую!
Правильное напряжение — залог нормальной работы электроприборов в вашем авто! 😉

www.drive2.ru

[9111.3702] Наконец-то ВТН! 14.5В — реально! — Лада 2114, 1.5 л., 2004 года на DRIVE2

Итак, с момента как я узнал о существовании регуляторов напряжения фирмы ВТН прошло много времени. Я искал его в своём городе, в магазинах запчастей, на авторынок, под заказ…
В общем, под заказ из Москвы выходило примерно под 1000р, что меня не особо радовало.
В одном из прошлых постов про замену колодок я писал, что мне невероятно везло — я нашёл в одном магазине продукцию ВТН, но нужного мне регулятора 9111.3702 не было…
Однако, в выходные заехав за очередной партией концевиков (об этом будет отдельный пост), узнал о том, что в четверг они приедут.

И вот он, четверг!
Позвонил с утра, да, приехали!
В обед приезжаю, а они не разобраны, в приходе ещё не числятся… Но я убедительно попросил, даже от скидки по карте отказался, уж очень хотел его купить быстрее, а с оформлением скидки были небольшие проблемы.
Вот он, в моих руках!

Полный размер

Заветная коробочка

Полный размер

Вот этот волшебный проводок нам и поможет


Немного описания с сайта производителя:

Регулятор напряжения 9111.3702 предназначен для поддержания напряжения бортовой сети автомобиля в заданных пределах во всех режимах работы системы электрооборудования при изменении частоты вращения ротора генератора, электрической нагрузки, температуры окружающей среды.

Применяемость: автомобили ВАЗ-2108, -2109, -2110, -2111, -2112, -2113, -2114, -2115 и др. с генераторами 94.3701, 9402.3701, 977.3701, 3202.3771, Г2112Е, ELD-A-2110, ELD-A-21214, ELD-A-2123; автомобили “Daewoo Lanos” 1.4i, “Daewoo Sens”, “Славута”, “Таврия” после 2004 г.в. и др. с генераторами 97Т.3701, 97S.3701; автомобили ГАЗ, УАЗ с генераторами 3212.3771, 3282.3771, ELD-A-406 и др

У меня как раз генератор 9402.3701. Кстати, чем хорош этот производитель, так тем, что у него есть модели для генераторов eldix и прамо.
Характеристики данного регулятора — 6А и 14.5В

Снимаем старый регулятор (ну как старый, генератору несколько месяцев, РН шел с ним), и меня очень, ОЧЕНЬ смутил провод массы с диодного моста (с пластиковой крышечкой который) НОВОГО генератора, который не закреплён на фишке. Ну, то есть, клемма закреплена на изоляции провода, но жилы просто гуляют свободно.

Вот этот провод, он очень слабо контактирует с самой клеммой. Прижал как мог.

В этот раз я спешил на учёбу, поэтому не стал ничего делать. На днях залезу внутрь и пропаяю эту клемму (паяльник на батарейках вещь, уже много раз выручал!).

Полный размер

Сравнение со стоковым. Щётки у стокового подлиннее, конечно.

Красный провод суём под все гайки вывода + генератора, собираем всё обратно…

Заводим… И офигеваем!
Учитываем, что при запуске у меня включается магнитола, регистратор и дальний свет на 30%(ДХО).

Полный размер

Ну, тут всё видно.


Немного о старых показаниях:
На холодную было максимум 14В, когда машина ночь постояла на 0.+5 градусов.
При езде 13.5, на светофорах доходило до 13.0

Итого, сейчас на светофорах 14.2, при езде 14.4-14.5 — небо и земля!

И небольшой тест. Ближний свет, музыка, печка на 3, регистратор. 14.2, это успех) И это на горячей машине.

Полный размер

Вот как-то так.

Но, конечно, просадки бывают. Пока ехал до учёбы, на светофорах разок было 14.1, я связываю это как минимум с тем самым проводом, как максимум, с хреновой проводкой и гнилым чёрным ящиком. Будем разбираться, но результат впервые меня порадовал!

UPD: бортовик нагло врёт!
Приехал домой, включены фары, музычка, печка на 1, регистратор. Бортовик показывает 14.2, на клеммах 14.5 ровно!
Выключил фары, печку, 14.3 бортовик, 14.5 клеммы.
Соответственно, где-то в бортовой сети просаживается. Захотел поставить отдельный вольтметр.

Кстати, фары светят офигенно, я сначала думал, что у меня дальний включен…

www.drive2.ru

Регулятор напряжения ВТН или первый достойный РР. — Лада 2107, 1.6 л., 2011 года на DRIVE2

Всем привет ! Продолжая тему про регуляторы напряжения, вчера приехал РР ВТН. Спасибо Dani970 за совет по приобретению этого чудесного девайса. Поехал по быстрому поменял в гараже.

Полный размер

сама упаковка выполнена очень аккуратно и красиво


Полный размер

с другой стороны маркировка регулятора


Полный размер

порадовало четко напечатанное описание на коробке


Полный размер

сам регулятор с голограммой


Полный размер

щетки обедненные, в отличие от обычных


Полный размер

регулятор встает нормально, только из за необычной формы конструкции платы, немного неудобно закручивать болты крепления РР


Далее погнал домой тестировать в дороге РР под нагрузкой и в разных режимах. Тесты были на полностью прогретой машине, температура двигателя 90-100 С. Погрешность в показаниях 0,1-0,2 В.

Полный размер

напруга на ХХ без нагрузки


Полный размер

Напруга на ХХ: ближний + габариты + стопы


Полный размер

напруга при движение ближний + габариты


Полный размер

напруга на ХХ: ближний + габариты + стопы + поворотник


Полный размер

напруга на ХХ: ближний + габариты + стопы + печка 1 скорость


Полный размер

напруга на ХХ: ближний + габариты + стопы + печка 2 скорость


без нагрузки в движение, температура ДВС в районе 60-70 С


Вот такой результат. Я всем полностью доволен, это первый нормальный стоковый РР, который работает как нужно, а не через Ж… Если сравнивать его с 3-х уровневым, лично для меня сильных различий по работе нет. Регулятор работал отлично и не подводил зимой и летом. Но качество исполнения ВТН значительно лучше. Ценник на регуляторы в нашем городе примерно одинаков:
1. ВТН — 449 + 250 р. доставка;
2. 3-х уровневый — 460 р.
Буду кататься дальше и тестировать «8 чудо света». Всем удачи и бодрого заряда под капот !

www.drive2.ru

Регулятор напряжения ВТН. — Лада 2114, 1.6 л., 2012 года на DRIVE2

Полный размер

Привет всем кто читает данную статью. Сегодня хочу поделиться с вами информацией об очередной доработке. Речь в данной статье пойдёт о замене штатного регулятора напряжения от «корейского» производителя на РН фирмы ВТН.
Так как я, как и многие счастливые обладатели генератора фирмы КЗАТЭ на 140А, столкнулся с кратковременными просадками напряжения при сбросе оборотов, включении потребителей, нагрев генератора и т. д. Мной было принято решение о замене регулятора напряжения.
Отдельное спасибо хочу сказать товарищу acermashine за совет в выборе регулятора. Многие ставят себе регулятор фирмы Орбита артикул 879.3702. Я же последовал совету и приобрёл себе РН от компании ВТН артикул 9454.3702. Разница между ними в токоотдаче. У орбиты она 5А у ВТН 8А. В общем по процессу замены ничего необычного, все благополучно крепится на штатные места без доработок.
Установил, прокатился, теперь об изменениях. При сбросе оборотов просадки практически пропали. Если же на штатном они были с 14.3 на холодную до 13.5, и изменение вольтажа с 14.3 до 14.0 при нагреве генера. То с ВТН регулятором при сбросе оборотов вольтаж не меняется совсем ну или же иногда на 0.1В. А при нагреве гены вольтаж падает с 14.5 до 14.3в.
Попутно заменил ремень генератора, так как старый уже был весь в трещинах и судя по его внешнему виду, он уже отбегал свой ресурс.
Очень рад если кому то данная статья будет полезной.
Отвечу на все ваши вопросы и поделюсь ссылками
Ставьте лукасы, и грейтесь тёплым чайком.
Всем удачи на дорогах.

Полный размер

Полный размер

Полный размер

Полный размер

Полный размер

Полный размер

Полный размер

Полный размер

Полный размер

Цена вопроса: 1 050 ₽ Пробег: 37 865 км

www.drive2.ru

Лада 2109 SoD › Бортжурнал › Дорабатываем генераторы. Регулятор нового образца от ВТН.

Заметил, что напруга часто просаживается ниже 13.5, особенно с приходом тепла. Думал что бы сделать с генератором, что бы такого не происходило. Стал изучать интернеты и нашел несколько интересных статей по регуляторам напряжения.
Оказывается есть регуляторы старого и нового образца.
Вот фото регулятора старого образца:

Регулятор старого образца

Регуляторов нового образца есть множество, но я выбрал регулятор ВТН 9333.3702-04.
Покупал тут.

Регулятор напряжения нового образца

Регулятор нового образца

Основное отличие этого регулятора, что он меряет нагрузку не с допдиодов, а именно со шпильки В+, где эту нагрузку видно!

Вот выдержка с сайта производителя:
Многофункциональные регуляторы напряжения 9333.3702-04, 9333.3702-04 исп.11, 9333.3702-04 исп.12 предназначены для поддержания напряжения бортовой сети автомобиля в заданных пределах во всех режимах работы системы электрооборудования при изменении частоты вращения ротора генератора, электрической нагрузки, температуры окружающей среды.
Многофункциональные регуляторы 9333.3702-04, 9333.3702-04 исп.11, 9333.3702-04 исп.12 обеспечивают полное отключение обмотки возбуждения генератора от бортовой сети, что повышает надежность и безопасность системы электроснабжения автомобиля.
Регуляторы напряжения 9333.3702-04, 9333.3702-04 исп.11, 9333.3702-04 исп.12 обладают функцией индикации пониженного и повышенного напряжений бортовой сети автомобиля, а также низкого фазного напряжения генератора. Индикация осуществляется свечением штатного индикатора контроля заряда аккумуляторной батареи. Изделия обеспечивают выполнение функции плавного нарастания тока нагрузки. Регуляторы напряжения обладают также функцией защиты от короткого замыкания в выходной и в индикаторной цепи.
Контроль и регулирование напряжения производится непосредственно на выходной клемме генератора — по такому принципу строятся все схемы электроснабжения современных зарубежных автомобилей высокого класса.
В своём составе регуляторы имеют помехоподавительный конденсатор.
Диапазон рабочих температур, °С -45 . +110
Напряжение регулирования с АБ при t°=(25 ± 2)°С и нагрузке генератора 5А, В 14,5 ± 0,1
Напряжение регулирования с АБ при t°=(25 ± 2)°С в диапазоне нагрузки генератора от 5А до 0,9·Imax*, В 14,5 ± 0,15
Максимальный ток выходной цепи, А 8,0
Термокомпенсация Uрег, мВ/°С -7,0 ± 1,5
Остаточное напряжение на выходе «DF»: максимальное / типовое, В 0,06 / 0,05
Порог срабатывания индикации низкого фазного напряжения, В 3,75 . 7,25
Порог срабатывания индикации пониженного напряжения, В 10,9 . 11,6
Порог срабатывания индикации повышенного напряжения питания, В 16,15 . 17,15
Максимально допустимое длительное воздействие повышенного напряжения питания, В 18,0
Максимально допустимое воздействие повышенного напряжения питания длительностью до 5 мин., В 25,0
Максимально допустимые импульсные перенапряжения по ГОСТ 28751, В 200,0

Как видно из фоток выше без доработок тут не обойтись!
Снимаем крышку с генератора и снимаем старый диодный мост.

Начало

Вообще, перед установкой главной проблемой было правильное расположение щеток и правильное соединение выводов РН.
Щетка DF точно совпадала в новом РН с расположением штатного аналогового РН, хотя не знаю насколько важно правильное расположение щеток и возможная замена их местами, но думаю, что очень важно расположить их правильно их нельзя менять местами. Ну так вот — положение щеток DF и D+ точно попадали на свои места, масса РН не имела значения как поставить РН — она по-любому замыкалась на массу генератора, вывод B+ тоже надо сильно постараться, чтобы не попасть на шпильку вывода выпрямленного тока гены, короче там тоже всё просто. А вот вывод W — оказался проблемным. В гене Элтра или Прамо который приоровский выводы обмоток просто припаяны к подкове, и проблема в том, что выводов 6, а как они соединяются — нигде не видно — есть места выводов всех шести концов обмоток и всё…
Короче посидел с паяльником и тестером + интерент в итоге разобрался.
Делал я так, что бы можно было быстро самому поменять регулятор на стандартный в случае чего и не надо было бы ничего перепаивать.
Берем регулятор и меняем кольца выводов на папы.

Регулятор с папами 🙂

Для выводов W и B+ делам провода с мамами.

Без доработки корпуса тоже не обошлось, т.к. по размерам регулятор не встает. Пришлось немного поработать напильником.

Напилинг

Ну а дальше все норм. Ставим регулятор, соединяем папы и мамы. Вывод индикации на приборку сделал отдельным проводом.

Как-то так

Ставим крышку, убираем в термоусадку старый конец для индикации на приборку.

www.drive2.ru

Ремонт и Доработка» на DRIVE2

Хочу поделиться с Вами, уважаемые читатели еще одной весьма не сложной, но, при этом, достаточно полезной и нужной доработкой генератора.
Речь пойдет о замене стокового, выполненного еще по «прошловековой» технологии Регулятора Напряжения (РН) на более совершенный, так называемого «нового образца».
Это целая серия регуляторов — 9333.3702-04, 9444.3702, 9555.3702 отличающиеся лишь посадочными размерами и разъемами. И это дает возможность их применения во всей линейке генераторов ВАЗ и не только, вне зависимости от производителя.

ВТН 9333.3702-04

Основные преимущества данного РН (в порядке значимости):
контроль напряжения на ОСНОВНОМ выходе генератора В+, а не на выходе вспомогательного выпрямителя, как у подавляющего большинства «стоковых» РН
— точная программная подгонка напряжения регулирования!;
— наличие термокомпенсации;
— использование MosFet транзистора в качестве основного ключа;
— ШИМ регулирование тока возбуждения;
— плавный запуск возбуждения генератора;
— блокирование тока возбуждения при отсутствии вращения ротора;
— не используется вспомогательный выпрямитель;
— более информативная индикация, как отсутствия работы генератора, так и его аварийного режима, связанного с превышением выходного напряжения

Его характеристики тут: www.vtnauto.com/ru/9333-04i11i12.html
Основа микроконтроллер STM семейства ST7LUS5, ST7LU05, ST7LU09
Калибровка выходного напряжения — цифровая при выпуске изделия, что сводит на нет разброс параметров компонентов, напр. резисторов в делителе напряжения.

Схема включения в составе генераторной установки


Чертеж и расположение выводов

Полный размер

Стоковый РН

Специфика установки и подключения:
— рассверлить посадочные отверстия в РН до димаметра 6 мм
— при помощи шайб М6 (или гаек М8 в сочетании с шайбами) выставить РН на шпильках, чтобы щетки точно расположились на контактных кольцах.
— соединить вывод «В+» с силовым выходом (шпилькой генератора)++
— соединить вывод «W» с выходом любой из фазных силовых обмоток.
— вывести управляющий вывод «D» под штеккер через крышку генератора.
Дополнительный выпрямитель можно оставить и не использовать, а можно и демонтировать, но это более трудоемко, ввиду трудносъемного (паянного) диодного моста.
И еще момент — не спутайте выводы «W» и «B+» ! Страшного ничего не произойдет, но РН не запустится.

Полный размер

РН установлен и подключен

www.drive2.ru

УАЗ Patriot Авантюрин › Бортжурнал › Замена регулятора напряжения Энергомаш на регулятор от ВТН

После замены родного регулятора ВТН на Энергомаш счастье было недолгим ))

Полный размер

Энергомаш и ВТН

Периодически пропадала зарядка, а относительно недавно ее не стало вообще и на приборной панели загорелась лампа отсутствия заряда генератора. Разобрав и осмотрев регулятор, я его поставил обратно, так как не нашел ничего криминального (контакты на месте, щетки тоже). Заряд снова появился и радовал своими цифрами: на холодную 14,8В, на прогретом авто (печка на среднем значении, свет, музыка) заряд был 14,3-14,2В. Но через некоторое время ситуация повторилась: изредка появлялось мигание лампы заряда, потом пропадание заряда (уже без индикации лампы), но все же это было редко. В основном заряд был. Ну а через некоторое время заряд таки пропал и вот тогда загорелась лампа отсутствия заряда. Подумал на брак регулятора, так как с магазина одна из щеток была немного короче первой. На замену был куплен аналогичный энергомашевскому — 9333.3702-04, но уже от ВТН. Не знаю как кому, но качество исполнения по-моему куда выше, нежели у 611.3702-07. Последний позже хочу разобрать, так как сильно подозреваю на поломку контакта/пружины одной из щеток. При нажатии на нее чувствуется небольшой скрежет пружины и есть небольшой ход щетки вверх. Если ее потянуть, то она выравнивается со второй щеткой.
Новый регулятор встает хорошо, но также надо рассверливать штатные в нем отверстия. Также я удлинил выводы регулятора В+ и W. У последнего заменил кольцевую клемму на «штырьковую маму». Наделась на новую площадку фазы очень хорошо. D+ немного нарастил пайкой провода с самодельной клеммой, затем вкрутил в штатное место штатным винтом.

Полный размер

На шпильках надеты гайка и шайба.

Фазу взял в другом месте, так как старое мне не понравилось ))

Полный размер

Полный размер

Пластиковая крышка наделась отлично.

Полный размер

Полный размер

П.С.
Заряд с новым регулятором на холодную 14,5В, по мере прогрева падает до 14,2В.

Цена вопроса: 568 ₽

www.drive2.ru

Регулятор напряжения 9111.3702

Применяемость: автомобили ВАЗ-2108, -2109, -2110, -2111, -2112, -2113, -2114, -2115, -2121 и др. с генераторами 94.3701, 9402.3701, 9412.3701, 977.3701, 3202.3771, Г2112Е, ELD-A-2110, ELD-A-21214, ELD-A-2123, A125/10/-14V-80A, A125/11/-14V-80A, A125/1001/-14V-105A, A125/1002/-14V-125A; автомобили “Daewoo Lanos” 1.4i, “Daewoo Sens”, “Славута”, “Таврия” после 2004 г.в. и др. с генераторами 97Т.3701, 97S.3701; автомобили ГАЗ, УАЗ с генераторами 9422.3701, 3212.3771, 3282.3771 и др. 

Регулятор напряжения 9111.3702 предназначены для работы в комплекте с “кальциевыми” и др. аккумуляторными батареями, требующими повышенное напряжение заряда. 

Данные автомобильные регуляторы — регуляторы нового поколения. Благодаря применению мощного современного MOSFET транзистора в качестве выходного ключа резко понижены потери мощности, выделяемые в виде тепла, увеличена надежность изделия в целом. 

Благодаря использованию дополнительного провода, напряжение на генераторе поддерживается непосредственно на выходе генераторной установки. При этом достигнуты высочайшие параметры токоскоростной и нагрузочной характеристики. Это продлевает срок службы аккумуляторной батареи, обеспечивает оптимальные режимы работы всех потребителей электроэнергии, повышая, таким образом, надежность всего электрооборудования автомобиля. 

Регуляторы выпускаются в климатическом исполнении О2.1 по ГОСТ 15150 для внутреннего рынка и на экспорт. По степени защиты от проникновения посторонних тел и воды изделие соответствует исполнению IP57 по ГОСТ 14254. Рабочий режим регуляторов — S1 по ГОСТ 3940. 

Регуляторы устанавливаются непосредственно на генераторе, где предусмотрена установка регуляторов 9402.3702, 9333.3702, 9111.3702 и их модификаций, при помощи штатных винтов. 

vtnshop.ru

УАЗ Patriot Авантюрин › Бортжурнал › Замена штатного регулятора напряжения ВТН на регулятор 611.3702-07 от Энергомаш.

В общем, задумался о замене регулятора с приходом холодов. Просто однажды не смог завести авто по причине низкого заряда АКБ. После этого наконец-то стал замечать просадку напряжения в бортовой сети. Доходило до 13,1В на прогретом авто. А так как стоит АКБ «Са», то ему этого естественно не хватает. Для начала произвел замену силовых плюса и минуса. Заменил на КГ-хл 1*50. Для этого купил вначале (позже заменил) луженый кабельный наконечник под вышеназванный кабель, но, как и всегда, сечение кабеля у производителей завышено. Данный кабель очень хорошо, и что немаловажно, плотно входит в наконечник для кабеля с сечением 35. Наверное, более для красоты, кабели одел в оплетку «змеиная кожа».
Купил в отделе запчастей ВАЗ регулятор «611.3702-07». Сразу скажу, что ранее этого никогда не делал, а читал и смотрел в других БЖ. Новое реле встает почти без переделок. Но естественно есть небольшие доработки. Пришлось рассверлить крепежные отверстия реле до размера М5, и в штырьковой клемме (та, что с маленьким отверстием) увеличить отверстие до М4, чтобы клемму прикрутить в штатное место генератора. В генераторе тоже пришлось немного внести изменения. Напильником расширил площадку (сточил пластмассовые бортики) где выходит одна из фаз генератора. Там есть сам контакт фазы и отверстие, но, как и писали многие, нет резьбы. Можно, в принципе, припаять проводок от регулятора или вкрутить саморез. Кольцевой клеммы с отверстием М5 у меня не было. Сделал из разрезанного вдоль отрезка медной трубки соответствующую клемму. Далее метчиком нарезал резьбу М5 и вкрутил соответствующий винт длиной 10мм, на всякий случай макнув в фиксатор резьбы. Плюсовую колодку от регулятора протянул до плюсовой клеммы АКБ, предварительно заменив саму колодку на кольцевую клемму 1,5*6. По своей лени не стал протачивать бортики, образовавшиеся на токосъемных кольцах (где-то 1-1,2мм), и, я думаю, поэтому пока ехал из гаража домой напряжение бортовой сети хаотично прыгало: от 14,8 до 11,5 (отсутствие заряда). Все дело в том, что одна щетка встала в выемку от выработки на токосъемном кольце, а другая оперлась как раз на бортик, образовавшийся от выработки. Можете меня поправить, но мне кажется, что пропадание заряда связано с этим. То есть одна из щеток не полностью всей площадью прилегает к своему токосъемному кольцу. И, не исключаю, возможно, есть факт подвисания щетки. Также немного настораживает то, что уже с магазина одна из щеток была короче. Кстати, данный регулятор имеет достаточно слабые пружины и меньшие по площади касания щетки, по сравнению со штатным регулятором. При установке защитной пластиковой крышки необходимо вынуть из нее уплотнительную резинку, так как новый щеткодержатель шире. Три дополнительных диода (если я ничего не напутал) я откусил небольшими кусачками.
Фото и изображение не мои. Фото не делал, так как в гараже холодно и хочется все сделать побыстрее.
П.с. пока стоял перед домом, напряжение бортовой сети было в следующем диапазоне: 14,4В-14,6В (горят дневные ходовые, ближний, вентилятор печки на половине своих делений). Понаблюдаю, может притруться. Если нет, то придется снова снимать генератор)

Полный размер

Полный размер

www.drive2.ru

Регулятор напряжения 9454.3702

Многофункциональный регулятор напряжения 9454.3702 предназначен для поддержания напряжения бортовой сети автомобиля в заданных пределах во всех режимах работы системы электрооборудования при изменении частоты вращения ротора генератора, электрической нагрузки, температуры окружающей среды.

Применяемость: автомобили ВАЗ-1117, ВАЗ-1118, ВАЗ-1119 “Kalina” с генератором 9402.3701-06 и др.,  9402.3701-14, 7702.3701, 7712.3701-01, КЗАТЭ 120A, КЗАТЭ 140А , аналог 11190370150000

Регулятор напряжения 9454.3702 обеспечивает полное отключение обмотки возбуждения генератора от бортовой сети, что повышает надежность и безопасность системы электроснабжения.

Регулятор напряжения 9454.3702 обладает функцией индикации повышенного и пониженного напряжения бортовой сети автомобиля, а также низкого фазного напряжения генератора. Индикация осуществляются свечением штатного индикатора контроля заряда аккумуляторной батареи на приборной панели. Изделие обеспечивает выполнение функции плавного нарастания тока нагрузки. Регулятор обладает функцией защиты от короткого замыкания в выходной и в индикаторной цепи.

Контроль и регулирование напряжения производятся непосредственно на выходной клемме генератора — по такому принципу строятся все схемы электроснабжения современных зарубежных автомобилей высокого класса. Контроль запуска генератора, а также контроль его частоты вращения производится непосредственно на одной из выходных силовых обмоток. В своем составе регулятор имеет помехоподавительный конденсатор.

Многофункциональный регулятор 9454.3702 выпускается в климатическом исполнении О2.1 по ГОСТ 15150 для внутреннего рынка и на экспорт. По степени защиты от проникновения посторонних тел и воды изделие соответствует исполнению IP67 по ГОСТ 14254. Рабочий режим регулятора - продолжительный номинальный S1 по ГОСТ 3940.

Регулятор устанавливается непосредственно на генераторе, где предусмотрена установка регуляторов ЩР-5, 849.3702 или 9454.3702, при помощи штатных крепежных элементов.

Технические характеристики регуляторов
Напряжение регулирования, В 14,5
Максимальный ток выходной цепи (А) 8
Термокомпенсация Uрег, мВ/°С -7,0 ± 1,5

vtnshop.ru

Реле регулятор напряжения 12 вольт

Реле предназначены для автоматического включения/выключения различных устройств (автохолодильники, обогреватели сидений, разъемы прикуривателя, магнитолы, антирадары и другие). Включение устройств происходит при достижении напряжения бортовой сети значения «напряжения включения» и удержания его не ниже этого уровня в течение 5с. Выключение — при достижении напряжения бортовой сети значения «напряжения выключения» и удержания этого значения не выше этого уровня в течение 3с.

Реле 362.3787 позволяет автоматически подключать устройства только при запущенном двигателе, не подвергая их негативному воздействию бросков напряжения при пуске двигателя, и автоматически выключать их при остановке двигателя, что обеспечивает защиту аккумулятора от чрезмерного разряда.

Реле 362.3787 изготавливается с четырьмя различными значениями порогов включения и выключения.

Реле 362.3787-04 и 362.3787-05 имеют возможность ручной регулировки напряжений включения/выключения. Регулировка осуществляется с помощью встроенных подстроечных многооборотных резисторов через отверстия в корпусе. Визуальная диагностика неправильной настройки реле обеспечивается за счет применения в конструкции изделия встроенного светодиода и прозрачного корпуса.

Создано реле регулятор напряжения генератора для корректировки выдаваемого в бортовую сеть и на клеммы аккумулятора «вольтажа» в заданном диапазоне 13,8 – 14,5 В (реже до 14,8 В). Кроме того, регулятор корректирует напряжение на обмотке самовозбуждения генератора.

Назначение реле регулятора напряжения

Независимо от стажа и стиля вождения владелец авто не может обеспечить одинаковые обороты двигателя в разные моменты времени. То есть, коленвал ДВС, передающий крутящий момент генератору, вращается с разной скоростью. Соответственно, генератор вырабатывает разное напряжение, что крайне опасно для АКБ и прочих потребителей бортовой сети.

Поэтому замена реле регулятора генератора должна производится при недозаряде и перезаряде аккумулятора, горящей лампочке, мигании фар и прочих перебоях электроснабжения бортовой сети.

Взаимосвязь источников тока авто

В транспортном средстве находится минимум два источника электроэнергии:

  • аккумулятор – необходим в момент запуска ДВС и первичного возбуждения обмотки генератора, энергию не создает, а только расходует и накапливает в момент подзарядки
  • генератор – питает бортовую сеть на любых оборотах и подпитывает АКБ только на высоких оборотах

В бортовую сеть необходимо подключение обоих указанных источников для корректной работы двигателя и прочих потребителей электричества. При поломке генератора АКБ «протянет» максимум 2 часа, а без аккумулятора не заведется двигатель, приводящий в движение ротор генератора.

Существуют исключения – например, а счет остаточной намагниченности обмотки возбуждения штатный генератор ГАЗ-21 запускается самостоятельно при условии постоянной эксплуатации машины. Можно завести авто « с толкача», если в нем установлен генератор постоянного тока, с прибором переменного тока такой трюк невозможен.

Задачи регулятора напряжения

Из школьного курса физики каждый автолюбитель должен помнить принцип работы генератора:

  • при взаимном перемещении рамки и окружающего ее магнитного поля в ней возникает электродвижущая сила
  • электромагнитом генераторов постоянного тока служат статоры, ЭДС, соответственно возникает в якоре, ток снимается с коллекторных колец
  • в генераторе переменного тока намагничивается якорь, электроэнергия возникает в обмотках статора

Упрощенно можно представить, что на величину выходящего с генератора напряжения влияет значение магнитной силы и скорость вращения поля. Основная проблема генераторов постоянного тока – пригорание и залипание щеток при съеме с якоря токов большой величины – решена переходом на генераторы переменного тока. Ток возбуждения, подающийся на ротор для возбуждения магнитной индукции, на порядок ниже, снимать электроэнергию с неподвижного статора гораздо легче.

Однако вместо постоянно расположенных в пространстве клемм «–» и «+» производители авто получили постоянное изменение плюса и минуса. Подзарядка аккумулятора переменным током не возможна в принципе, поэтому диодным мостиком его предварительно выпрямляют.

Из этих нюансов плавно вытекают задачи, решаемые реле генератора:

  • подстройка тока в обмотке возбуждения
  • выдерживание диапазона 13,5 – 14,5 В в бортовой сети и на клеммах аккумулятора
  • отсечение питания обмотки возбуждения от АКБ при заглушенном двигателе

Поэтому называют регулятор напряжения еще и реле зарядки, а на панель выведена сигнальная лампа процесса подзарядки АКБ. В конструкцию генераторов переменного тока функция отсечения обратного тока заложена по умолчанию.

Разновидности реле регуляторов

Прежде, чем произвести самостоятельный ремонт устройства регулирования напряжения, необходимо учесть, что существует несколько типов регуляторов:

  • внешние – повышают ремонтопригодность генератора
  • встраиваемые – в пластину выпрямителя или щеточный узел
  • регулирующие по минусу – появляется дополнительный провод
  • регулирующие по плюсу – экономичная схема подключения
  • для генераторов переменного тока – нет функции ограничения напряжения на обмотку возбуждения, так как она заложена в самом генераторе
  • для генераторов постоянного тока – дополнительная опция отсечения АКБ при неработающем ДВС
  • двухуровневые – морально устарели, применяются редко, регулировка пружинами и небольшим рычагом
  • трехуровневые – дополнены специальной платой сравнивающего устройства и сигнализатором согласования
  • многоуровневые – в схеме имеются 3 – 5 добавочных резисторов и система слежения
  • транзисторные – в современных авто не используются
  • релейные – улучшенная обратная связь
  • релейно-транзисторные – универсальная схема
  • микропроцессорные – небольшие габариты, плавные регулировки нижнего/верхнего порога срабатывания
  • интегральные – встраиваются в щеткодержатели, поэтому заменяются после истирания щеток

Внимание: Без доработки схемы «плюсовой» и «минусовой» регулятор напряжения являются не взаимозаменяемыми приборами.

Реле генераторов постоянного тока

Таким образом, схема подключения регулятора напряжения при эксплуатации генератора постоянного тока сложнее. Поскольку в стояночном режиме авто, когда ДВС заглушен, необходимо отключить генератор от АКБ.

При диагностике проверка реле происходит на выполнение трех его функций:

  • отсечка аккумулятора во время стоянки машины
  • ограничение максимального тока на выходе генератора
  • регулировка напряжения для обмотки возбуждения

При любой неисправности требуется ремонт.

Реле генераторов переменного тока

В отличие от предыдущего случая диагностика своими руками регулятора генератора переменного тока немного проще. В конструкцию «автомобильной электростанции» уже заложена функция отсечки питания во время стоянки от АКБ. Остается проверить лишь напряжение на обмотке возбуждения и на выходе с генератора.

Если в машине стоит генератор тока переменного, его невозможно завести разгоном с горки. Так как остаточного намагничивания на возбуждающей обмотке здесь нет по умолчанию.

Встроенные и внешние регуляторы

Для автолюбителя важно знать, что измеряют и начинают регулировать напряжение реле в конкретном месте их установки. Поэтому встроенные модификации воздействуют непосредственно на генератор, а выносные «не знают» о его наличии в машине.

Например, если выносное реле подключено к катушке зажигания, его работа будет направлена на регулировку напряжения лишь на этом участке бортовой сети. Поэтому, прежде чем узнать, как проверить реле выносного типа, следует убедиться, что оно подключено правильно.

Управление по «+» и «–»

В принципе схемы управления по «минусу» и «плюсу» отличаются лишь схемой подключения:

  • при монтаже реле в разрыв «+» одна щетка подключается к «массе», другая к клемме регулятора
  • если же подключить реле в разрыв «–», то одну щетку нужно подключить к «плюсу», другую к регулятору

Однако в последнем случае появится еще один провод, поскольку реле напряжения является устройством активного типа. Для него необходимо индивидуальное питание, поэтому «+» нужно подвести отдельно.

Двухуровневые

На начальном этапе в машинах устанавливались механические двухуровневые регуляторы напряжения с простым принципом действия:

  • через реле проходит электрический ток
  • возникающее магнитное поле притягивает рычаг
  • сравнивающим устройством служит пружина с заданным усилием
  • при увеличении напряжения контакты размыкаются
  • на возбуждающую обмотку поступает меньший ток

Использовались механические двухуровневые реле в автомобилях ВАЗ 21099. Основным минусом являлась работа с повышенным износом механических элементов. Поэтому на смену этим приборам пришли электронные (бесконтактные) реле напряжения:

  • делитель напряжения собран из резисторов
  • стабилитрон является задающим устройством

Сложная схема соединения и недостаточно эффективный контроль напряжения привели к снижению спроса на эти приборы.

Трехуровневые

Однако двухуровневые регуляторы, в свою очередь, так же уступили позиции более совершенным трехуровневым и многоуровневым приборам:

  • напряжение выходит с генератора на специальную схему через делитель
  • информация обрабатывается, действительное напряжение сравнивается с минимальным и максимальным пороговым значением
  • сигнал рассогласования регулирует силу тока, поступающего на возбуждающую обмотку

Более совершенными считаются реле с частотной модуляцией – в них нет привычных сопротивлений, зато увеличена частота срабатывания ключа электронного. Управление осуществляется логическими схемами.

Принцип работы реле регулятора

Благодаря встроенным резисторам и специальным схемам реле получает возможность сравнивать величину вырабатываемого генератором напряжения. После чего, слишком высокое значение приводит к отключению реле, чтобы не перезарядить аккумулятор и не испортить электроприборы, подключенные в бортовую сеть.

Любые неисправности приводят именно к этим последствиям, приходит в неисправность батарея АКБ или резко увеличивается эксплуатационный бюджет.

Переключатель лето/зима

Вне зависимости от сезона и температуры воздуха работа генератора всегда стабильна. Как только его шкив начинает вращаться, электроток вырабатывается по умолчанию. Однако зимой внутренности аккумулятора замерзают, он восполняет заряд значительно хуже, чем летом.

Переключатели лето/зима находятся либо на корпусе регулятора напряжения, либо этим обозначением подписаны соответствующие разъемы, которые нужно найти и подсоединить к ним проводку в зависимости от сезона.

Ничего необычного в этом переключателе нет, это лишь грубые настройки реле регулятора, позволяющие повысить до 15 В напряжение на клеммах аккумулятора.

Подключение в бортовую сеть генератора

Если при замене генератора вы подключаете новый прибор самостоятельно, необходимо учесть нюансы:

  • вначале следует проверить целостность и надежность контакта провода от кузова машины к корпусу генератора
  • затем можно подсоединять клемму Б реле регулятора с «+» генератора
  • вместо «скруток», начинающих греться через 1 – 2 года эксплуатации, лучше использовать пайку проводов
  • заводской провод нужно заменить кабелем сечения 6 мм2 минимум, если вместо штатного генератора монтируется электроприбор, рассчитанный на ток больше 60 А
  • амперметр в цепи генератор/аккумулятор показывает, мощность какого источника электроснабжения в данный момент выше в бортовой сети

Амперметры – нужные приборы, с помощью которых можно определить заряд АКБ и работоспособность генератора. Без особых причин не рекомендуется убирать их из схемы.

Схемы подключения регулятора выносного

Монтируется выносное реле регулятора напряжения генератора только после выяснения, в разрыв какого провода оно должно быть подключено. Например:

  • на старых РАФ, Газелях и «Бычках» используются реле 13.3702 в полимерном или стальном корпусе с двумя контактами и двумя щетками, монтируются в «–» разрыв цепи, клеммы всегда промаркированы, «+» обычно берется с катушки зажигания (Б-ВК клемма), контакт Ш регулятора соединяется со свободной клеммой щеточного узла
  • в «жигулях» применяются реле регуляторы 121.3702 белого и черного цвета, существуют двойные модификации, в которых при выходе из строя одного прибора работа второго устройства продолжается простым переключением на него, монтируется в разрыв «+» клеммой 15 к выводу катушки зажигания Б-ВК, к щеточному узлу крепится проводом клемма 67

Встраиваемые реле-регуляторы автолюбители называют «шоколадками», маркированными Я112. Они монтируются в специальные щеткодержатели, прижимаются винтами и защищаются дополнительно крышкой.

На автомобилях ВАЗ реле обычно встроены в щеточный узел, полная маркировка Я212А11, подключаются к замку зажигания.
Если владелец меняет штатный генератор на старом отечественном ВАЗ на устройство переменного тока от иномарки или современной Лады, подключение производится по другой схеме:

  • вопрос крепления корпуса автолюбитель решает самостоятельно
  • аналогом клеммы «плюс» здесь служит контакт В или В+, его включают в бортовую сеть через амперметр
  • выносные реле регуляторы здесь обычно не используются, а встраиваемые уже интегрированы в щеточный узел, из них выходит единственный провод с маркировкой D либо D+, который подсоединяется к замку зажигания (к клемме катушки Б-ВК)

Для дизельных ДВС в генераторах может присутствовать клемма W, которая присоединяется к тахометру, ее игнорируют при установке на авто с бензиновым мотором.

Проверка подключения

После установки трехуровневого или иного реле-регулятора необходима проверка работоспособности:

  • двигатель заводится
  • напряжение в бортовой сети контролируется на разных оборотах

После установки генератора переменного тока и подключения его по вышеприведенной схеме владельца может ожидать «сюрприз»:

  • при включении ДВС запускается генератор, измеряется напряжение на средних, больших и малых оборотах
  • после выключения зажигания ключом …. двигатель продолжает работать

В этом случае заглушить ДВС можно либо сняв провод возбуждения, либо отпустив сцепление с одновременным нажатием тормоза. Все дело в наличии остаточной намагниченности и постоянном самовозбуждении обмотки генератора. Проблема решается установкой в разрыв возбуждающего провода лампочки:

  • она горит при незапущенном генераторе
  • гаснет после его запуска
  • проходящий через лампу ток недостаточен, чтобы возбудить обмотку генератора

Эта лампа автоматически становится индикатором наличия зарядки АКБ.

Диагностика реле регулятора

Определить поломки регулятора напряжения можно по признакам косвенным. Прежде всего, это некорректная зарядка АКБ:

  • перезаряд – выкипает электролит, раствор кислоты попадает на детали кузова
  • недозаряд – ДВС не запускается, лампы горят в пол накала

Однако предпочтительнее диагностика приборами – вольтметром или тестером. Любое отклонение от максимального значения напряжения 14,5 В (в некоторых авто бортовая сеть рассчитана на 14,8 В) на больших оборотах или минимального значения 12,8 В на малых оборотах становится причиной замены/ремонта реле регулятора.

Встроенного

Чаще всего регулятор напряжения интегрирован в щетки генератора, поэтому необходимо уровневое обследование этого узла:

  • после снятия защитной крышки и ослабления винтов щеточный узел извлекается наружу
  • при износе щеток (осталось меньше 5 мм их длины) замена должна производится в обязательном порядке
  • диагностика генератора мультиметром производится в комплекте с аккумулятором или зарядным устройством
  • «минусовой» провод от источника тока замыкается на соответствующую пластину регулятора
  • «плюсовой» провод от ЗУ или АКБ подключается к аналогичному разъему реле
  • тестер устанавливается в режим вольтметра 0 – 20 В, щупы накладываются на щетки
  • в диапазоне 12,8 – 14,5 В между щетками должно быть напряжение
  • при увеличении напряжения больше 14,5 В стрелка вольтметра должна быть на нуле

В данном случае вместо вольтметра можно использовать лампу, которая должна гореть в указанном интервале напряжения, гаснуть при увеличении этой характеристики больше этого значения.

Провод, управляющий тахометром (маркировка W только на реле для дизелей) прозванивается мультиметром в режиме тестера. На нем должно быть сопротивление около 10 Ом. При снижении этого значения провод «пробит», его следует заменить новым.

Выносного

Никаких отличий в диагностике для выносного реле не существует, зато его не нужно демонтировать из корпуса генератора. Проверить реле регулятор напряжения генератора можно при работающем двигателе, изменяя обороты с низких на средние, затем высокие. Одновременно с увеличением оборотов нужно включить дальний свет (как минимум), кондиционер, монитор и прочие потребители (как максимум).

Таким образом, при необходимости владелец транспортного средства может заменить штатное реле регулятор напряжения на более современную модификацию встраиваемого или выносного типа. Диагностика работоспособности доступна собственными силами при наличии обычной автомобильной лампы.

Чтобы стабилизировать величину электрического напряжения, необходим регулятор, который сделает работу приборов надежной и долговечной. В быту регулятор напряжения может потребоваться для различных ситуаций. Совсем необязательно покупать магазинный вариант. Имея небольшие познания в радиоэлектронике, можно спаять его и самостоятельно.

Обычно схема простого регулятора включает всего 5 элементов:

  1. Регулируемый резистор на 10 кОм. Он и отвечает за регулировку напряжения, может менять силу тока в цепи или увеличивать сопротивление.
  2. Радиатор. Защищает приборы от перегрева и охлаждает их в случае необходимости.
  3. Резистор на 1 кОм. Он призван снизить нагрузку на основной резистор.
  4. Транзистор. Он служит для увеличения колебаний и повышения их частоты.
  5. Два провода, по которым пойдет ток.

Принцип сборки

Сборка производится следующим образом:

  • Левый конец транзистора соединяют с концом в середине резистора;
  • Середина транзистора спаивается с правым концом резистора;
  • Один проводок спаивается с тем, что вышло в результате второй операции;
  • Другой проводок припаивают к оставшемуся концу транзистора;
  • Весь собранный механизм прикручивают к радиатору;
  • Теперь осталось припаять резистор на 1 кОм к крайним выходам регулируемого резистора и транзистора.

Простейший регулятор напряжения готов.

По тому же принципу можно сделать регулятор оборотов на 12 вольт. Для этого понадобятся:

  • Реле на 12 вольт;
  • Тиристор КУ201;
  • Трансформатор для питания двигателя и реле;
  • Транзистор КТ 815;
  • Вентиль от дворников «Жигулей» первой модели;
  • Конденсатор.

Этот регулятор используют для подачи проволоки, поэтому в схему включен тормоз двигателя с реле.

Сборка этого прибора также не отличается сложностью. Два проводка с блока питания подсоединяются к реле, на которое подается плюс батареи. Остальное включается, как и на обычном регуляторе напряжения. Данная схема позволяет создать 12 вольт для двигателя.

Патент США на высоковольтный насос заряда и регулятор заряда от сети переменного тока для DRAM (Патент № 6,236,581, выдан 22 мая 2001 г.)

РОДСТВЕННЫЕ ПРИЛОЖЕНИЯ

Это приложение является подразделением Ser. № 09/178,977, поданный 26 октября 1998 г., теперь патент США. № 6,055,201, который является продолжением сер. № 08/921,579, поданный 2 сентября 1997 г., теперь патент США. № 5 828 620, который является продолжением файловой оболочки Ser. № 08/418,403, поданный 7 апреля 1995 г., в настоящее время заброшенный, который является продолжением сер.№ 08/134,621, поданный 12 октября 1993 г., в настоящее время патент США. № 5 406 523, который является подразделением сер. № 07/680,994, поданный 5 апреля 1991 г., теперь патент США. № 5267201, которая относится к заявкам Соединенного Королевства № 10.0, поданной 5 апреля 1991 г., и

91.8, поданной 6 апреля 1990 г., содержание которых полностью включено в настоящий документ посредством ссылки.

ОБЛАСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Изобретение относится к динамическим запоминающим устройствам с произвольным доступом (DRAM) и, в частности, к форсированному насосу заряда источника питания словарной линии и регулятору для установления напряжения словарной линии.

ПРЕДПОСЫЛКИ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Коммерческие DRAM высокой плотности обычно используют схемы повышения напряжения емкостной накачки для обеспечения достаточно высокого напряжения для управления строками слов DRAM. Регулирование напряжения было плохим, и существует опасность генерирования напряжения выше пределов, налагаемых требованиями надежности технологии устройства, и, таким образом, повреждения транзисторов, на которые подается напряжение. Такие схемы, в которых присутствует напряжение питания Vdd, генерируют максимально достижимое напряжение 2Vdd-Vtn, где Vtn — пороговое напряжение N-канального полевого транзистора (FET).

ОПИСАНИЕ ПРЕДШЕСТВУЮЩЕГО УРОВНЯ

РИС. 1 показана схема повышения напряжения в соответствии с предшествующим уровнем техники, а на фиг. 2 иллюстрирует формы сигналов тактового сигнала, используемые для управления схемой.

Пара N-канальных транзисторов 1 и 2 соединены перекрестно, образуя бистабильный триггер, истоки транзисторов подключены к шине напряжения Vdd. Сток каждого транзистора подключен к затвору соответствующего другого транзистора и образует узлы 3 и 4, которые подключены через соответствующие N-канальные транзисторы 5 и 6, выполненные в виде диодов, к одному выводу конденсатора 7.Другой вывод конденсатора 7 соединен с землей.

Источник тактовой частоты подключен через инвертор 8 и конденсатор 9 к узлу 4, а другой источник тактовой частоты подключен через инвертор 10 через конденсатор 11 к узлу 3.

Напряжение источника тактового сигнала на выходе инвертора 8 показано в виде сигнала &phgr;2, изменяющегося между напряжениями Vdd и Vss, а выходной сигнал источника тактового сигнала на выходе инвертора 10 показан в виде сигнала &phgr;1, изменяющегося между напряжениями Vdd и Всс.

Выходной контакт схемы подает напряжение Vpp на соединение конденсатора 7 и транзисторов 5 и 6.

Работа вышеописанной схемы хорошо известна. Поскольку уровни 1 и 2 изменяются, как показано на фиг. 2, конденсаторы 9 и 11 попеременно заряжаются между Vss и Vdd и разряжаются на конденсатор 7. Максимально достижимое напряжение на выходе составляет 2Vdd-Vtn, где Vtn — порог срабатывания одного из транзисторов 5 или 6.

Следует отметить, что внешнее напряжение питания Vdd может изменяться в пределах, определенных в спецификации устройства, а также в результате нагрузки, как статической, так и динамической, других цепей, использующих тот же источник питания. Пороговое напряжение Vtn чувствительно к изменениям в обработке полупроводников, температуре и напряжению питания микросхемы, и это способствует значительным изменениям в усиленном питании. Наконец, само повышенное питание Vpp изменяется в зависимости от тока нагрузки, потребляемого конденсатором 7.Поэтому напряжение на выходной клемме, которое должно обеспечивать стабильное линейное напряжение, может существенно отличаться от идеального. Например, если Vdd слишком велико, это может привести к скачку выходного напряжения до уровня, который может повредить изоляцию затвора транзистора доступа к линии слова, что приведет к повреждению памяти. Если Vdd низкое, возможно, что выходное напряжение может быть недостаточно для управления транзисторами доступа к ячейке памяти, что делает работу памяти ненадежной.

СУЩНОСТЬ НАСТОЯЩЕГО ИЗОБРЕТЕНИЯ

Настоящее изобретение представляет собой схему для обеспечения выходного напряжения, которое можно использовать для управления шинами слов памяти, напряжение которых может достигать 2 Вdd; она не подвержена уменьшению Vtn по сравнению со схемой предшествующего уровня техники.Таким образом, даже если Vdd низкое, управляющее напряжение линии слов даже в худшем случае будет выше, чем в предшествующем уровне техники, повышая надежность работы памяти.

Вышеупомянутое достигается за счет полного переключения транзисторов в повышающей цепи вместо использования N-канальных истоковых повторителей в качестве «диодов». Это исключает снижение вольтодобавочного напряжения на Vtn.

Другим вариантом осуществления изобретения является схема для определения требуемого управляющего напряжения в словной линии и для регулирования повышающего насоса напряжения путем обеспечения работы насоса при низком повышенном напряжении, что приводит к увеличению управляющего напряжения в словной линии и блокировке насоса. если напряжение достигает правильного линейного напряжения слова.Это достигается за счет использования выборочного транзистора, который соответствует транзистору доступа к ячейке памяти, который должен быть активирован по линии слов. Управляющее напряжение словной линии подается на пробный транзистор, и когда он начинает проводить ток, указывая на то, что его порог срабатывания достигнут, токовое зеркало обеспечивает выходное напряжение, которое используется в контуре обратной связи для подавления работы накачки напряжения. . Поскольку транзистор выборки аналогичен транзистору доступа к памяти, поддерживается точное напряжение возбуждения линии слов.

Таким образом, обеспечивается точное регулирование повышенного сетевого напряжения без опасности повреждения транзистора напряжениями. Поскольку, как только достигается правильное управляющее напряжение линии слова, насос напряжения запрещается, дополнительная мощность не требуется для зарядки конденсаторов повышения напряжения выше этой точки, что позволяет экономить энергию. Поскольку генерируется именно то напряжение, которое требуется, достигается повышенная надежность, поскольку устраняются двойные напряжения начальной загрузки на микросхеме.Таким образом, схема имеет высокий КПД.

Первый и второй варианты предпочтительно использовать вместе, чтобы получить преимущества обоих.

Та же базовая конструкция может также использоваться в качестве генератора напряжения обратного смещения отрицательной подложки (Vbb).

Вариант осуществления изобретения представляет собой источник повышенного напряжения, содержащий клемму источника постоянного напряжения, первый и второй конденсаторы, причем первый конденсатор имеет одну клемму, соединенную с землей, а другую клемму — с выходной клеммой, коммутационное устройство для подключения одной клеммы второго конденсатора попеременно между клеммой подачи напряжения и землей и подключением другой клеммы второго конденсатора попеременно между клеммой подачи напряжения и выходной клеммой, при этом повышенное напряжение регулируется на D.C. Подача напряжения осуществляется на выходной клемме.

Другим вариантом осуществления изобретения является источник питания линии слов с динамическим произвольным доступом (DRAM), содержащий источник питания возрастающего напряжения для линии слов для подключения к линии слов время от времени, транзистор доступа к ячейке памяти для подключения конденсатора ячейки памяти к битовая линия, имеющая затвор, соединенный с линией слов, выборочный транзистор, аналогичный транзистору доступа к ячейке памяти, устройство подачи напряжения на выборочный транзистор для включения выборочного транзистора при напряжении питания, связанном с характеристиками выборочного транзистора , и устройство для предотвращения повышения напряжения питания при включении транзистора образца, при этом источник напряжения, имеющий уровень напряжения, достаточный для включения транзистора доступа к ячейке памяти, предусмотрен для подключения к словной линии.

КРАТКОЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЕ К ЧЕРТЕЖАМ

Лучшее понимание изобретения будет получено при обращении к подробному описанию ниже в сочетании со следующими чертежами, на которых:

РИС. 1 представляет собой принципиальную схему схемы повышения напряжения предшествующего уровня техники,

.

РИС. 2 иллюстрирует формы синхроимпульсов, используемых для управления схемой, показанной на фиг. 1,

РИС. 3 представляет собой схематическое изображение варианта осуществления настоящего изобретения,

.

РИС.4 иллюстрирует формы тактового сигнала, используемые для работы схемы по фиг. 3,

РИС. 5 представляет собой принципиальную схему усиленного тактового генератора, а

РИС. 6 представляет собой частично схематическую и частично блок-схему другого варианта осуществления изобретения.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Со ссылкой на фиг. 3, конденсатор 15 включен в последовательную цепь между землей и через N-канальный полевой транзистор 16 FET, выполненный в виде диода, с затвором и стоком, подключенными к источнику напряжения Vdd.Транзистор 16 заряжает конденсатор 15 до Vdd с порогом N-канала (Vtn) Vdd при запуске.

Первая пара транзисторов, состоящая из N-канального полевого транзистора 17 и P-канального полевого транзистора 18, последовательно соединена цепями исток-сток между переходом транзистора 16 и конденсатором 15 и Vdd, причем исток транзистора 18 соединен с его подложки к соединению транзистора 16 и конденсатора 15. Это соединение образует выход 19 схемы, на который подается напряжение Vpp, питание словарной сети.

Вторая пара транзисторов, один из которых представляет собой P-канальный полевой транзистор 20, а другой — N-канальный полевой транзистор 21, имеют цепи исток-сток, соединенные последовательно между источником напряжения Vdd и землей. Исток транзистора 20 подключен к источнику напряжения Vdd своей подложкой. Второй конденсатор 22 подключен между переходами двух пар транзисторов.

Хотя вышеописанная схема будет работать так, как будет описано ниже, чтобы генерировать напряжение 2Vdd на выходе 19, она обеспечивает только функцию усиления полупериода, и если будет потребляться значительный ток, напряжение может упасть.Чтобы обеспечить полноволновую функцию усиления, дополнительная схема включена следующим образом.

Третья пара транзисторов, состоящая из N-канальных полевых транзисторов 23 и P-канальных полевых транзисторов 24, имеет свои цепи исток-сток, соединенные последовательно между Vdd и выходной клеммой 19, при этом исток транзистора 24 соединен с выходной клеммой своей подложкой. Четвертая пара полевых транзисторов, состоящая из P-канального полевого транзистора 24 и N-канального полевого транзистора 25, имеет свои цепи исток-сток, соединенные последовательно между Vdd и землей, при этом исток транзистора 24 соединен с Vdd своей подложкой.Третий конденсатор 27 подключен между переходами третьей и четвертой пар транзисторов.

Источники тактового сигнала применяются к затворам различных транзисторов следующим образом: &phgr;1 к затвору транзистора 25, /&phgr;1 к затвору транзистора 20, &phgr;2 к затвору транзистора 21 и /&phgr; 2 к затвору транзистора 26.

Усиленные тактовые сигналы подаются на затворы различных транзисторов следующим образом: &phgr;1+ к затвору транзистора 23, /1 к затвору транзистора 18, &phgr;2+ к затвору транзистора 17 и /&phgr;2+ к затвору транзистора 24.

Схема тактового генератора показана на фиг. 5. P-канальные транзисторы 51 и 52 соединены перекрестно, образуя бистабильный триггер, истоки и подложки транзисторов подключены к выходу Vpp 19, затвор транзистора 52 подключен к стоку транзистора 51 и затвор транзистора 51 подключен к стоку транзистора 52. Цепь исток-сток N-канального транзистора 53 подключена между стоком транзистора 51 и землей, а цепь исток-сток N-канального транзистора 54 подключена между стоком транзистора 52 и земли.Тактовый сигнал 1 подается на затвор транзистора 54, а тактовый сигнал /1 подается на затвор транзистора 53.

Когда тактовый сигнал &phgr;1 становится высоким, транзистор 54 открывается, а соединение транзисторов 52 и 54 замыкается на землю, открывая транзистор 51, который пропускает Vpp к соединению транзисторов 51 и 53. Это тактовый сигнал &phgr;1+ , повышен до Vpp. Когда тактовый сигнал &phgr;1 становится низким, а /&phgr;1 становится высоким, транзистор 54 запирается, а транзистор 53 открывается, а соединение транзисторов 51 и 53 (&phgr;1+) замыкается на землю.Это включает транзистор 52, который пропускает Vpp к соединению транзисторов 52 и 54, тактовый сигнал /&phgr;1+ выход.

Аналогичная схема (не показана) обеспечивает тактовую частоту &phgr;2+ и /&phgr;2+.

РИС. 4 иллюстрирует логические уровни тактового сигнала и синхронизацию, которые применяются к различным логическим элементам, и на нее делается ссылка для объяснения ниже.

В рабочем режиме при инициализации конденсатор 15 заряжается через N-канальный полевой диод 16 от Vdd, заряжая его до Vdd-Vtn.Затем схема проходит ряд циклов, чтобы зарядить накопительный конденсатор 15 до требуемого уровня. Следующее обсуждение описывает напряжения и переносы заряда, происходящие в цепи накачки, когда уровень Vpp почти достигает желаемого уровня и является достаточным для полного включения N-канального транзистора с его истоком на Vdd.

Теперь, рассматривая схему включения конденсатора 27 слева от диода 16 и формы сигналов на фиг. 4, &phgr;1 и /&phgr;1+ перейти на высокий уровень, открывая транзисторы 23 и 25.Конденсатор 27 заряжается до уровня Vdd. Транзисторы 23 и 25 затем блокируются, прекращая проводимость в конце импульса &phgr;1.

Через дискретный период времени /&phgr;2 и /&phgr;2+ перейти в низкий уровень, и транзисторы 24 и 26 включены. Вывод конденсатора, который был подключен к Vdd, подключается к выходному выводу 19, а другой, отрицательный вывод конденсатора 27 подключается к Vdd. Если бы емкость CR (15) была равна 0, то напряжение с положительного вывода конденсатора 27 на вывод 19 на землю было бы равно начальному напряжению на конденсаторе 27 плюс напряжение Vdd на землю, т.е.е. 2Вдд. Однако накопительный конденсатор CR (15) обычно имеет большое значение, так что скачок напряжения в узле 19 будет ослаблен до (CS/(CS+CR))*(2Vdd-Vpp), где CR и CS — номиналы конденсаторов. 15 и 22 или 27 соответственно. Таким образом, насос может достигать максимального уровня 2Vdd.

Импульсы напряжения /&phgr;2 и /&phgr;2+ затем перейти на высокий уровень, блокируя транзисторы 23 и 25, и через дискретный период времени &phgr;1 и /&phgr;1+; снова перейти на высокий уровень, снова подключив конденсатор 27 между Vdd и землей.Он снова заряжается, и поскольку конденсатор 27 попеременно переключается между Vdd и землей и выходной клеммой 19 и Vdd, напряжение между клеммой 19 и землей возрастает до 2Vdd.

Аналогичная функция реализуется с конденсатором 22. Когда тактовое напряжение /&phgr;1 и /&phgr;1+ перейти в низкий уровень, конденсатор 27 подключен между выводом 19 и Vdd через транзисторы 20 и 18. Когда тактовые напряжения &phgr;2 и &phgr;2 + перейти на высокий уровень, конденсатор 22 подключен между Vdd и землей через транзисторы 17 и 21, заряжая конденсатор 22 до напряжения Vdd.Таким образом, в то время как конденсатор 27 заряжается между Vdd и землей, конденсатор 22 подключается между выходной клеммой 19 и Vdd через полевые транзисторы 20 и 18 из-за фазы и полярности тактовых сигналов / 1. Таким образом, два конденсатора 27 и 22 поочередно заряжают и повышают напряжение на конденсаторе 15.

Тактовые сигналы &phgr;1, &phgr;2, /&phgr;1 и /&phgr;2 имеют одинаковые амплитуды и варьируются от Vdd, логической 1, до Vss, логического нуля.

Тактовые сигналы &phgr;1+, &phgr;2+, &phgr;1+ и /&phgr;2+ имеют аналогичные амплитуды и варьируются между Vpp, логической 1 и Vss (земля) и логическим 0.

Следует отметить, что конденсаторы 15, 22 и 27 заряжаются от основного источника напряжения Vdd, а не от тактовых источников. Это позволяет источникам тактовых сигналов иметь меньшие требования к источнику питания, поскольку они управляют только затворами полевых транзисторов с минимальной емкостью. Это отличается от повышающей схемы предшествующего уровня техники, в которой источники тактового сигнала обеспечивают заряд, необходимый для конденсаторов 9 и 11 (фиг. 1), и, таким образом, обеспечивают ток, необходимый для повышения напряжения, косвенно подавая часть тока линейного разряда.

Кроме того, поскольку ток повышения напряжения не проходит через полевой транзистор, выполненный в виде диода, как в схеме предшествующего уровня техники, не происходит снижения напряжения повышения напряжения на пороговое значение напряжения проводимости Vtn, как в предшествующем уровне техники.

Поскольку используются неперекрывающиеся тактовые импульсы, повышающий ток не будет протекать между выходной клеммой 19 и Vdd. Это также предотвращает утечку заряда из конденсатора 15 во время переключения.

Предпочтительно, чтобы все подложки N-канальных транзисторов были подключены к напряжению Vss или Vbb, которое в этом варианте ниже Vss (земля).Соединение подложек транзисторов 24 и 18 P-канала с Vpp позволяет избежать прямого смещения ламп P-канала.

Обратимся теперь к фиг. 6 показан источник словной линии. Источник напряжения линии слов, такой как предусмотренный на выводе 29, подключен через декодер 30 строки слов к линии 31 слов. линии 33 и к накопительному конденсатору 34 ячейки памяти. Конденсатор привязан к эталонному напряжению пластины ячейки памяти Vref.

При работе вышеизвестной схемы, если напряжение Vpp на выводе 29 подается через декодер 30 строки слова на линию 31 слова, причем это напряжение подается на затвор транзистора 32, разрядный накопительный зарядный конденсатор 34 подключен к битовой шине 33 через транзистор 32. Таким образом, заряд, накопленный в конденсаторе 34, передается на битовую шину 33.

Схема на фиг. 6 обеспечивает регулятор сетевого напряжения слова. Образец транзистора 35 изготовлен аналогично транзистору 32 доступа к линии слов.Таким образом, он обладает теми же характеристиками, включая аналогичные пороги проводимости.

Исток транзистора 35 подключен к источнику напряжения Vdd, а сток через Р-канальный транзистор 36 подключен к выводу 29 истока линейного напряжения. Затвор транзистора 36 подключен к его стоку.

Транзистор 37 с P-каналом отражает ток в транзисторе 36, затвор которого соединен с затвором и стоком транзистора 36, его исток подключен к выводу 29 истока линейного напряжения, а сток подключен к стоку N-канального транзистора 38. , у которого другой исток подключен к земле (Vss), а его затвор подключен к Vdd, чтобы работать в линейной области как резистор.

Транзисторы 36 и 37 образуют токовое зеркало тока, проходящего через транзистор 36. Когда Vpp возрастает до точки, при которой транзистор 35 начинает проводить, аналогичный ток проходит через транзистор 38. Между соединением транзисторов 37 и 38 и земля. Это напряжение используется в качестве напряжения обратной связи для подавления генерации дополнительного увеличения напряжения Vpp на выводе 29.

Поскольку транзистор 35 аналогичен транзистору 32, устанавливается точное значение Vpp, достаточное для включения транзистора 32.

Напряжение Vpp на выводе 29 может быть обеспечено с помощью насоса в соответствии с предшествующим уровнем техники или предпочтительно с помощью насоса 39 напряжения, описанного со ссылкой на фиг. 3 и 4 выше. Либо насос известного уровня техники, либо насос в соответствии с настоящим изобретением приводится в действие генератором 40, который выдает тактовые сигналы, например. 1, 2, /1 и /2. Генератор 44 имеет вход запрета, который останавливает свою работу при получении сигнала запрета.

Напряжение обратной связи от токового зеркала подается через пару последовательно соединенных инверторов 41 и 42 на запрещающий вход генератора 44.На самом деле можно использовать любое четное количество инверторов. Следовательно, когда транзистор 35 начинает проводить, что означает, что достигнуто правильное управляющее напряжение Vpp словарной шины (и транзистора 32), напряжение обратной связи на запрещающий вход генератора 44 выключает генератор 44, вызывая прекращение зарядки конденсаторов в цепи повышения напряжения и прекращение повышения напряжения Vpp.

Регулятор напряжения, описанный выше, таким образом, устраняет повышение Vpp, если оно не требуется, и только позволяет схеме повышения напряжения повышать напряжение до уровня, необходимого для словной линии, т.е.е. транзисторы доступа к ячейке. Это экономит энергию и обеспечивает защиту транзисторов доступа к ячейкам, повышая надежность памяти. Таким образом, устраняются опасные схемы двойного бутстрапа, повышающие напряжение примерно до 2 Вdd, которые ранее были обнаружены на микросхеме, и сводится к минимуму перенапряжение.

Транзисторы с узким каналом могут иметь более высокие пороговые напряжения, чем ожидалось, в условиях обратного смещения, и существующий регулятор, который фактически измеряет напряжение включения транзистора доступа к ячейке памяти, обеспечивает точное напряжение питания словарной линии, ни слишком низкое, ни слишком высокое.Комбинированные варианты осуществления на фиг. 3 и 5, таким образом, обеспечивают существенно более надежное линейное напряжение слова, что приводит к более надежной памяти с уменьшенным энергопотреблением.

Человек, разбирающийся в этом изобретении, может теперь представить себе альтернативные структуры и варианты осуществления или варианты вышеизложенного. Все те, которые входят в объем прилагаемой формулы изобретения, считаются частью настоящего изобретения.

Законсервированная асимметричная ретрансляционная станция в головном мозге позвоночных

Kuan, Y.S., Yu, HH, Moens, CB & Halpern, ME 2007

Нейропилиновая асимметрия опосредует лево-правую разницу в связности

крючков. Развитие 134, 857–865.

(doi:10.1242/dev.02791)

Lecourtier, L. & Kelly, P.H. 2005 Двусторонние поражения

habenula вызывают нарушения внимания у крыс. Нейроп-

психофармакология 30, 484–496. (doi:10.1038/sj.npp.

1300595)

Лекуртье, Л. и Келли, П.H. 2007 Дирижер, спрятанный в оркестре

? Роль габенулярного комплекса в передаче и познании моноамина

. Неврологи. Биоповедение. Ред. 31,

658–672. (doi:10.1016/j.neubiorev.2007.01.004)

Lecourtier, L., Neijt, H.C. & Kelly, P.H. 2004 Habenula

поражения вызывают нарушение когнитивных функций у крыс:

последствия для шизофрении. Евро. Дж. Нейроски. 19,

2551–2560. (doi:10.1111/j.0953-816X.2004.03356.x)

Lecourtier, L., Deschaux, O., Arnaud, C., Chessel, A., Kelly,

P. H. & Garcia, R. 2006 Повреждения Habenula изменяют синаптическую

пластичность в проводящем пути fimbria-accumbens в

крыс. Неврология 141, 1025–1032. (doi:10.1016/j.neuro-

science.2006.04.018)

Lecourtier, L., Defrancesco, A. & Moghaddam, B. 2008

Дифференциальное тоническое влияние латерального ядра крючковатой кости на

префронтальную кору дофамин

выпуск.Евро. Дж. Нейроски. 27, 1755–1762 гг. (doi:10.1111/

j.1460-9568.2008.06130.x)

Lee, E.H. & Huang, S.L. 1988 Роль латеральной шляпки в регуляции исследовательского поведения и ее связь

со стрессом у крыс. Поведение Мозг Res. 30, 265–271. (doi:10.

1016/0166-4328(88)

-6)

Lenn, NJ & Hamill, GS 1984 Подразделения межножкового ядра

: предлагаемая номенклатура. Мозг

Рез.Бык. 13, 203–204. (doi:10.1016/0361-9230(84)

-6)

Лян, Дж. О., Этеридж, А., Ханцу, Л., Рубинштейн, А. Л.,

Новак, С. Дж., Изписуа Бельмонте, Дж. К. и Халперн, ME

2000 Асимметричная узловая передача сигналов у рыбок данио

промежуточный мозг позиционирует шишковидный орган. Разработка

127, 5101–5112.

Lisoprawski, A., Herve, D., Blanc, G., Glowinski, J. & Tassin,

J. P. 1980 Избирательная активация мезокортико-фронтальных

дофаминергических нейронов, индуцированная поражением габенулы

у крыс .Мозг Res. 183, 229–234. (doi:10.1016/0006-

8993(80)-3)

Lydic, R., Baghdoyan, H.A., Hibbard, L., Bonyak, E.V.,

, DeJoseph, M.R. & Hawkins, R.A. 1 Regional brain

Метаболизм глюкозы изменяется во время быстрого движения глаз

сна у кошки: предварительное исследование. Дж. Комп. Нейрол. 304,

517–529. (doi:10.1002/cne.

0402)

Мацумото, М. и Хикосака, О. 2007 Латеральная шляпка как

источник негативных сигналов вознаграждения в дофаминовых нейронах.

Природа 447, 1111–1115. (doi:10.1038/nature05860)

Matthews-Felton, T., Corodimas, K.P., Rosenblatt, J.S. &

Morrell, J.I. 1995 Нейроны боковых крючков необходимы

для начала гормонального начала материнского поведения и для

5 отображения

послеродовой течки у естественно рожающих самок

крыс. Поведение Неврологи. 109, 1172–1188. (doi:10.1037/

0735-7044.109.6.1172)

Маклин Д.Л., Фан Дж., Хигасидзима С.-I., Hale, ME &

Fetcho, JR 2007 Топографическая карта пополнения

в спинном мозге. Природа 446, 71–75. (doi:10.1038/

nature05588)

Miklosi, A. & Andrew, R.J. 1999 Использование правого глаза связано с

решением укусить рыбку данио. Поведение Мозг Res. 105,

199–205. (doi:10.1016/S0166-4328(99)00071-6)

Miklosi, A., Andrew, R.J. & Savage, H. 1997 Behavioral

латерализация четвероногого типа у рыбок данио

(Brachydanio rerio).Физиол. Поведение 63, 127–135. (doi:10.

1016/S0031-9384(97)00418-6)

Miralto, A. & Kemali, M. 1980 Асимметрия крючков

у пластиножаберных Scyllium stellare. II. Электронная

микроскопия. З. Микроск. Анат. Форш. 94, 801–813.

Modianos, D.T., Hitt, J.C. & Flexman, J. 1974 Habenular

поражения вызывают декременты женского, но не мужского пола,

линии, сексуального поведения у крыс. Поведение биол. 10, 75–87.

(дои:10.1016/S0091-6773(74)91684-8)

Mori, I., Diehl, A.D., Chauhan, A., Ljunggren, H.G. &

Kristensson, K. 1999 Selective targeting of habenular,

таламическая срединная и моноаминергическая нейроны ствола мозга

нейротропным вирусом гриппа А у мышей. Дж. Нейровирол. 5,

355–362. (doi:10.3109/1355028990

76)

Морли, Б. Дж. 1986 Межножковое ядро. Междунар. Ред.

Нейробиол. 28, 157–182. (doi:full_text)

Моррис, Дж.С., Смит, К.А., Коуэн, П.Дж., Фристон, К.Дж. и

Долан, Р.Дж. 1999 Ковариация активности в habenula и

ядер спинного шва после истощения запасов триптофана.

Нейроизображение 10, 163–172. (doi:10.1006/nimg.1999.0455)

Murphy, C.A., DiCamillo, A.M., Haun, F. & Murray, M.

1996 Поражение габенулярного эфферентного пути вызывает

тревогу и двигательную гиперактивность у крыс: сравнение 9005

последствий неонатальных и взрослых поражений.Поведение Мозг

Рез. 81, 43–52. (doi:10.1016/S0166-4328(96)00041-1)

Niell, C.M. & Smith, SJ. 2005 Функциональная визуализация выявила

быстрое развитие свойств зрительной реакции в тектуме

рыбок данио. Нейрон 45, 941–951. (doi:10.1016/

j.neuron.2005.01.047)

Nieuwenhuys, R., Donkelaar, HJ & Nicholson, C. 1998

центральная нервная система позвоночных. Нью-Йорк, штат Нью-Йорк:

Спрингер.

Нишикава Т., Fage, D. & Scatton, B. 1986. Доказательства и природа тонического ингибирующего влияния габенулоинтер-

педункулярных путей на церебральную дофаминергическую транс-

миссию у крыс. Мозг Res. 373, 324–336. (doi:10.1016/

0006-8993(86)

-1)

Пэрент М., Левеск М. и Пэрент А. 2001 Два типа

проекционных нейронов во внутреннем паллидуме приматов:

отслеживание отдельных аксонов и трехмерная реконструкция.

Дж. Комп. Нейрол. 439, 162–175. (doi:10.1002/cne.1340)

Phillipson, O.T. & Pycock, CJ. 1982 Дофаминовые нейроны

вентральной покрышки проецируются как на медиальную, так и на латеральную

крючковатую кость. Некоторые последствия для хабенулярной функции. Эксп.

Мозг Res. 45, 89–94. (doi:10.1007/BF00235766)

Pobbe, R.L.H. & Zangrossi, HJ. 2008 Участие

латеральной шейки в регуляции генерализованной тревоги-

и связанных с паникой защитных реакций у крыс.Жизнь наук. 82,

1256–1261. (doi:10.1016/j.lfs.2008.04.012)

Regan, J.C., Concha, M.L., Roussigne, M., Russell, C. &

Wilson, S.W. In press. Зависимое от fg f 8 событие миграции бистабильных клеток

устанавливает асимметрию ЦНС. Нейрон.

Ronnekleiv, O.K. & Moller, M. 1979 Связи мозг-шишковидная нервная

у крыс: ультраструктурное исследование после

габенулярного поражения. Эксп. Мозг Res. 37, 551–562. (doi:10.

1007/BF00236823)

Розен, Г.Д. 1996 Клеточные, морфометрические, онтогенетические и соединительные субстраты анатомической асимметрии.

Неврологи. Биоповедение. Откр. 20, 607–615. (doi:10.1016/

0149-7634(95)00073-9)

Sampath, K., Rubinstein, A.L., Cheng, A.M., Liang, J.O.,

Fekany, K., Solnica-Krezel, L., Korzh, V., Halpern, M.E. &

Wright, C.V. 1998 Индукция брюшного мозга

рыбок данио и пластинки дна требует циклоп/узловой передачи сигналов. Природа 395,

185–189.(doi:10.1038/26020)

Sandyk, R. 1992 Обызвествление шишковидной железы и хабенулы при

шизофрении. Междунар. Дж. Нейроски. 67, 19–30.

Sasaki, K., Suda, H., Watanabe, H. & Yagi, H. 1990

Участие энтопедункулярного ядра и

habenula в вызванном метамфетамином ингибировании дофа-

минных нейронов в черной субстанции крыс. Мозг Res. Бык.

25,121–127.(doi:10.1016/0361-9230(90)

-X)

Обзор. Габенулярные ядра I.H. Bianco & S.W. Wilson 1019

Phil. Транс. Р. Соц. B (2009)

Нейрохимические взаимодействия в парабрахиальном ядре, опосредующие висцеральные импульсы к висцеральным таламическим нейронам

Ранее мы показали, что глутаматергические и норадренергические рецепторы опосредуют передачу висцеральной информации через парабрахиальное ядро ​​(PBN) и что пептид, связанный с геном кальцитонина ( CGRP), субстанция P (SP), соматостатин (SOM), нейротензин (NT) и холецистокинин (CCK) могут модулировать эти реакции.Взаимодействия этих нейротрансмиттеров и нейропептидов изучали на самцах крыс линии Вистар (17), которых анестезировали хлоралгидратом и вентилировали, у которых постоянно контролировали кровяное давление и частоту сердечных сокращений. Левый шейный блуждающий нерв стимулировали при субмаксимальной силе тока, чтобы выявить изменения одиночной и множественной активности висцеральных таламических нейронов (ВТН). Перистимульные и непрерывные гистограммы активности VTN были сделаны до и после инъекций 200 нл пептидов, агонистов или антагонистов нейротрансмиттеров или искусственной спинномозговой жидкости в PBN.Комбинированная инъекция CGRP и SP в PBN приводила к синергетическому ингибированию спонтанной активности VTN и реакции VTN, вызванной вагусным путем. Комбинированное введение NT и фенилэфрина (ФЭ) в PBN вызывало лишь аддитивное увеличение спонтанной активности VTN. Предварительное введение SOM в PBN блокировало возбуждающее действие инъекции альфа-адренергического агониста (фенилэфрина) на спонтанную активность VTN, тогда как CGRP, SP или CCK не влияли на индуцированный альфа-агонистом ответ.Предварительное введение альфа-адреноблокатора (фентоламина) предотвращало возбуждающее действие NT в PBN. Инъекция CGRP, SP, NT или CCK в PBN не изменила ответ VTN на аппликацию глутамата. Эти результаты предполагают механизмы взаимодействия пептидов с первичными нейротрансмиттерами в PBN и указывают, действуют ли нейропептиды до синапса первичного нейротрансмиттера или постсинаптически.

Границы | C1q регулирует удержание горизонтальных клеточных нейритов во внешней части сетчатки

Введение

Путь комплемента включает более 20 сигнальных белков врожденного иммунитета.Работа, проведенная за последние 15 лет, установила, что центральная нервная система (ЦНС) может использовать комплемент для контроля элиминации синапсов во время развития и болезни (Stevens et al., 2007; Chu et al., 2010; Bialas and Stevens, 2013; Hong et al. др., 2016). Делеция C1q, инициирующей сигнальной молекулы пути комплемента, приводит к задержке уточнения дорсолатерального коленчатого ядра таламуса и вызывает дефекты в развитии спинномозговых двигательных цепей за счет измененного удаления избыточных нейритов и синапсов, опосредованного микроглией (Stevens et al., 2007; Вукойчич и др., 2019). C1q-опосредованное удаление синапсов также связано с болезнью Альцгеймера и когнитивными дефектами после нейротропной вирусной инфекции (Hong et al., 2016; Kunnakkadan et al., 2019). Однако недавние данные свидетельствуют о том, что комплемент может быть селективным в отношении определенных областей ЦНС. Например, C1q необязателен для регулируемой в процессе развития пластичности глазного доминирования в зрительной коре (Welsh et al., 2020). Таким образом, C1q может нацеливаться на определенные нейронные цепи или даже на определенные типы нейронов или синапсов для элиминации.

Удивительно мало известно о том, регулируется ли регионально комплемент в ЦНС и каким образом. Поскольку специфичность схемы имеет решающее значение для нервной функции, решение этой загадки является важной целью. Классическая передача сигналов комплемента запускает протеазный каскад, ведущий к отложению и расщеплению нижестоящих белков комплемента, которые, в свою очередь, опосредуют множество разнообразных ответов (Ricklin et al., 2010). Однако сравнительно мало известно о механизмах, лежащих в основе клеток или типоспецифических нейритов, которые контролируют этот процесс.Продвижение к этой цели было частично ограничено неоднородностью нейронов и синапсов в мозге, где различные типы нейронов перемешаны, и их идентичность часто неизвестна.

Чтобы пролить свет на эти вопросы, мы сосредоточимся здесь на мышиной сетчатке. В этой системе нейроны располагаются слоями и организованы, а их идентичность и связь хорошо отображены. Связность еще более упрощается во внешней части сетчатки, где только два типа синапсов встречаются между четырьмя четко определенными нервными партнерами: палочками, колбочками, горизонтальными клетками и биполярными клетками (Dacheux and Raviola, 1986; Ghosh et al., 2004; Чжан и др., 2006). Эти типы нейронов обладают синаптической специфичностью: палочки соединяются в основном с аксонами горизонтальных клеток и биполярами палочек, тогда как колбочки соединяются с дендритами горизонтальных клеток и биполярами колбочек. Внешний слой синапсов сетчатки начинает появляться на P5, но эти соединения не являются функционально активными до P14, когда интернейроны интегрируются и глаза открыты (рис. 1А). Сетчатка также содержит микроглию, локализация которой в синаптических слоях сетчатки точно совпадает с периодом созревания и сокращения синапсов (обзор в Li F.и др., 2019). Делеция C1q и других компонентов комплемента может снижать функцию сетчатки у взрослых и старых животных (Mukai et al., 2018, Supplementary Figure 1), но влияние комплемента на развитие сетчатки в значительной степени неизвестно.

Рисунок 1. C1q регулирует удержание нейритов в горизонтальных клетках. (A) Схема организации нейронов внешней сетчатки и микроглии во время второй постнатальной недели. Внешний ядерный слой (ONL) содержит колбочки (синие) и палочки (голубой), которые образуют соединения во внешнем плексиформном слое (OPL) с расположенными горизонтальными клетками (фиолетовые), биполярными клетками палочек (розовые) и биполярными клетками колбочек (желтыми). во внутреннем ядерном слое (ВЯС).На P8 микроглия мигрирует к OPL вместе с созреванием синапсов колбочек и образованием синапсов палочек. На P13 микроглия находится в OPL, происходит открытие глаз, и созревание ленточных синапсов продолжается по мере того, как синапсы внешней сетчатки становятся активными. На P17 микроглия остается в OPL, так как субламинация синапсов палочек и колбочек завершается. (B–D) Репрезентативные изображения горизонтальных клеток ( B анти-кальбиндин, голубой) и количественная оценка эктопических нейритов горизонтальных клеток ( C,D ) в контроле дикого типа и C1q –/– мышей на P8, P13, P17 и P23.Горизонтальные клетки у мышей C1q –/– не остаются ограниченными OPL, демонстрируя повышенное количество эктопических нейритов (стрелок), которые достигают пика на P13, но остаются присутствующими по мере развития ( C , N ≥ 3 контроль дикого типа и C1q –/– мышей). Эти нейриты проникают во внешний ядерный слой и со временем становятся длиннее ( D , n = 99 и 287 отростков от трех контрольных мышей дикого типа и четырех мышей C1q –/– на P13; n = 47 и 142 ростка от трех контрольных мышей дикого типа и трех мышей C1q –/– на P17; n = 32 и 73 ростка от трех контрольных мышей дикого типа и трех мышей C1q –/– на P23).Шкала баров = 25 мкм. Данные представлены в виде среднего значения ± SEM (C) или в виде пчелиных теплиц SuperPlots (D) , на которых значения отдельных горизонтальных ростков клеток представлены вместе со средним значением для каждого животного ± SEM. *** p < 0,001, ** p < 0,01, * p < 0,05 по непарному двустороннему критерию Стьюдента t .

Используя сетчатку, мы показываем, что потеря C1q приводит к заметным и специфическим дефектам в развитии горизонтальных клеточных нейритов.Подмножества нейритов горизонтальных клеток, возникающие как из дендритов, так и из аксонов, простираются во внешнюю часть сетчатки, указывая на то, что комплемент может избирательно нацеливаться на определенные типы клеток. Далее мы показываем, что экспрессия C1q в развивающейся сетчатке ограничена микроглией, а мутанты C1q демонстрируют пониженную активацию микроглии. Генетическая абляция рецептора C3a (C3aR) и рецептора комплемента 3 (CR3) не вызывает сходных изменений, указывая на то, что C1q-опосредованная регуляция нейритов горизонтальных клеток может быть независимой от этих путей.Эти данные указывают на новую роль C1q в регуляции специфических клеточных и субклеточных компартментов посредством активации микроглии в сетчатке.

Материалы и методы

Животные

Штамм C1q –/– был описан ранее (Botto et al., 1998) и предоставлен доктором Фаррой Херадманд, Медицинский колледж Бейлора, которая получила их с разрешения доктора Марины Ботто, Имперский колледж. Лондон. В этом штамме ген C1qa был нарушен вставкой резистентной к неомицину кассеты в кодирующую область первого экзона.Этих мышей подвергали обратному скрещиванию с мышами C57BL/6NJ, а мышей дикого типа этой линии использовали в качестве контроля (Jackson labs, запас #005304). Этот фон содержит мутацию rd8 , но это не влияет на организацию сетчатки или ограничение нейритов горизонтальных клеток в пределах временных рамок этого анализа (Albrecht et al., 2018). Штаммы C3aR –/– (Humbles et al., 2000, Jackson labs, складской номер 00512) и CR3 –/– (Coxon et al., 1996; Jackson labs, складской номер 003991) описаны ранее и были предоставлены Dr.Хуэй Чжэн и доктор Фарра Херадманд, Медицинский колледж Бейлора. Мышей C3aR –/– подвергали обратному скрещиванию с C57BL/6J (Jackson labs, запас #000664). В качестве контроля использовали однопометников C57BL/6J и CR3 +/ . Эксперименты проводились как на самцах, так и на самках мышей в соответствии с рекомендациями Руководства по уходу и использованию лабораторных животных NIH в соответствии с протоколами, одобренными Комитетом по уходу и использованию животных BCM Institutional Animal Care and Use Committee.

Иммуногистохимия

глаза были собраны у мышей P5, P8, P10, P13, P17 и P23. День рождения обозначали как постнатальный день 0 (P0). Целые глаза фиксировали в течение 45 минут в 4% PFA, а затем промывали PBS. Поперечные срезы сетчатки и плоские препараты готовили, как описано ранее (Samuel et al., 2014). Вкратце, для анализа поперечного сечения наглазники рассекали, удаляя роговицу и хрусталик. Наглазники были криозащищены в 30% сахарозе, погружены в соединение ОСТ (VWR), хранились при -80°C, а затем были сделаны срезы толщиной 20 мкм.Для окрашивания поперечных срезов микроглии из сетчатки, помещенной в 6% агарозу, готовили срезы вибратома размером 100 мкм. Как для криостатных, так и для вибратомных поперечных срезов срезы инкубировали с блокирующим раствором (3% нормальная ослиная сыворотка и 0,3% Triton X-100 в PBS) в течение 1 ч, а затем с первичными антителами (таблица 1) O/N при 4° С. На следующий день предметные стекла трижды промывали PBS по 10 мин каждый и инкубировали со вторичными антителами (Jackson ImmunoResearch Laboratories) в течение 1 ч при комнатной температуре.Затем предметные стекла снова промывали и помещали в Vectashield (Vector Laboratories). Для плоских препаратов сетчатку удаляли из наглазника и инкубировали в блокирующем растворе (10% нормальная ослиная сыворотка и 0,5% Triton X-100 в PBS) в течение 1 ч, прежде чем приступить к первичным антителам (таблица 1) в течение 3 дней, а затем путем отмывки PBS и вторичных антител в течение 2 сут при 4°С. Изображения были получены на конфокальном микроскопе Olympus Fluoview FV1200 и обработаны с помощью FIJI.

Таблица 1. Антитела, используемые в анализе тканей.

Целая сетчатка qRT-PCR

сетчатки иссекали в ледяной воде, не содержащей РНКазы, и каждую пару сетчаток гомогенизировали отдельно. Тотальную РНК очищали из каждого образца с использованием мини-набора RNeasy Plus в соответствии с инструкциями производителя (Qiagen). Синтез первой цепи кДНК проводили с использованием набора для синтеза комплементарной ДНК в соответствии с протоколом производителя (iScript Reverse Transcription Supermix для qRT-PCR; Bio-Rad Laboratories, Inc.). Количественную ПЦР в реальном времени (qRT-PCR) проводили с праймерами к мишеням и генам домашнего хозяйства (праймеры см. в таблице 2) с использованием iTaq Universal SYBR Green Supermix (Bio-Rad) и системы обнаружения ПЦР в реальном времени CFX384 Touch. (Био-Рад). Относительную количественную оценку определяли с использованием метода ΔΔC t (Livak and Schmittgen, 2001). Интересующие гены были нормализованы к GAPDH . Праймеры были разработаны собственными силами с использованием программного обеспечения Primer-BLAST или получены от Harvard Primer Bank и других организаций (Spandidos et al., 2010; Сильверман и др., 2019).

Таблица 2. праймеров для qRT-PCR, используемых в анализе мРНК.

РНКоскоп

РНКоскоп

выполняли с использованием Probe-Mm-C1qa (кат. № 441221-C2, ACD-bio) на срезах сетчатки размером 20 мкм, собранных, как описано выше, для иммуногистохимии. Коммерчески доступный флуоресцентный мультиплексный анализ RNAscope выполняли в соответствии с инструкциями производителя (ACD-bio) со следующими изменениями. Образцы тканей обезвоживали с использованием градиента этанола 10, 30, 50, 70 и 100% (по 3 мин каждый), а время кипячения в целевом растворе для извлечения сокращали до 5 мин.После RNAscope слайды окрашивали Iba1 и кальбиндином для визуализации микроглии и горизонтальных клеток соответственно.

Электроретинография

Мы провели ЭРГ на двухмесячных взрослых мышах, как описано ранее (Albrecht et al., 2018). Вкратце, мышей адаптировали к темноте в течение ночи и анестезировали 1,5% изофлураном при скорости потока кислорода 1,0 л/мин. Мышей помещали на нагретую платформу в системе Diagnosys Celeris ERG (Diagnosys) и расширяли зрачки с помощью гидрохлорида фенилэфрина и тропикамида, а затем раствора Гонака.Электрод в виде контактной линзы помещали на глаз для регистрации электроретинограмм. Заземляющий электрод помещали подкожно на бедро животного, а электрод сравнения — на лоб животного. Систему Diagnosys Celeris ERG использовали для выявления как скотопических, так и фотопических ответов. Скотопические ответы вызывались в темноте вспышками в диапазоне от 0,003 до 20,0 кд с/м 2 . Фотопические ответы вызывали после того, как глаза адаптировались к свету в течение 5 минут при интенсивности 3.0 и 10,0 кд с/м 2 .

Опосредованное AAV мечение и реконструкция одноклеточных нейронов

Для AAV-опосредованного мечения нейронов P4 C1q –/– и контрольных детенышей анестезировали на льду. Чтобы пометить отдельные горизонтальные клетки, субретинальное и интравитреальное пространство инокулировали AAV2/9CMVCre-wtIRESeGFP (вирусные запасы, созданные Центром вирусных векторов в Университете Айовы). Мышей инъецировали субретинально, используя разведение вируса 1:500, и умерщвляли на P23.Чтобы визуализировать одиночно меченые клетки, сетчатку обрабатывали для подготовки плоских препаратов, как описано выше, после окрашивания антителом против GFP для мечения нейронов-мишеней и анти-кальбиндином для мечения горизонтальных клеток. Аксоны и дендриты из тех же клеток визуализировали в поле 635,9 мкм x 635,9 мкм на конфокальном микроскопе Olympus Fluoview FV1200 с размером шага (Z) 0,5 мкм. Затем изображения были импортированы в IMARIS (Bitplane) для создания 3D-рендеринга поверхности. Сглаживание 0,2 мкм использовали для GFP-положительных и кальбиндин-положительных горизонтальных клеток.

Гистологический количественный анализ

Все количественные оценки были выполнены с использованием срезов сетчатки, приготовленных из C1q –/– , C3aR –/– , CR3 –/– , и контрольных животных того же возраста. C57BL/6NJ, C57BL/6J или контрольные однопометники использовались во всех экспериментах, и все изображения были получены при эквивалентных эксцентриситетах сетчатки от диска зрительного нерва. Для всех экспериментов собирали данные от трех до пяти мышей на группу и получали от трех до четырех изображений на животное.Для количественной оценки эктопически локализованных нейритов горизонтальных клеток использовали антитело кальбиндина для маркировки горизонтальных клеток, а DAPI использовали для визуализации ядер. Эктопический неврит определяли количественно как неврит, который простирался по крайней мере на одно ядро ​​выше нижней границы ONL, и длину этих нейритов измеряли с помощью FIJI. Для оценки плотности горизонтальных клеток и образования мозаики расположение каждой кальбиндин-положительной горизонтальной клетки регистрировали в поле изображения размером 635,9 мкм × 635,9 мкм, отобранном в > 3 точках у каждого животного.Координаты XY горизонтальных ячеек затем использовались для расчета индекса регулярности домена Вороного, профиля восстановления плотности и плотности клеток с использованием FIJI и WinDRP (Rodieck, 1991). Для количественной оценки толщины слоя сетчатки DAPI использовали для маркировки ядер и измеряли длину каждого слоя. Количество конечных точек процесса микроглии и суммарную длину ветвей на микроглию в OPL определяли количественно, как описано ранее (Young and Morrison, 2018). Вкратце, после оптимизации каждое изображение было скелетировано и превращено в бинарное изображение.Плагин Analyze Skeleton затем был запущен в FIJI. Фрагменты размером менее 1,7 мкм удаляли из анализа, а отдельные конечные точки и длину ветвей суммировали и делили на общее количество микроглии. Количество микроглии в OPL определяли путем подсчета общего количества клеток, меченных специфичным для микроглии антителом Iba1.

Количественная оценка состояния активации микроглии

Иммуногистохимию

проводили на сетчатке P10 с плоским препаратом с антителами против Iba1 и CD68 (таблица 1), как описано выше.Для каждого генотипа было визуализировано N ≥ 3 животных. Три изображения 211,97 мкм × 211,97 мкм были отобраны для каждого животного и получены на конфокальном микроскопе (объектив 60X, увеличение 1,5X) с размером шага (Z) 0,5 мкм. Затем изображения были обработаны и проанализированы с использованием FIJI и IMARIS (Bitplane), как описано ранее (Schafer et al., 2014). Вкратце, фон вычитался из обоих флуоресцентных каналов при радиусе катящегося шара 10, а средний фильтр применялся к каналу Iba1 при 1.5. Обработанные стеки изображений затем загружали в IMARIS для создания объемных трехмерных изображений поверхности и использовали для определения объема Iba1-положительной микроглии и объема окрашивания CD68. Для измерения объема любой сигнал CD68 за пределами Iba1-положительной микроглии был замаскирован на изображении с использованием функции маски. Затем визуализировали оставшуюся флуоресценцию в микроглии и рассчитывали общий объем окрашивания CD68. Для определения процентного объема окрашивания CD68 объем внутреннего CD68 (мкм 3 ) делили на объем Iba1-положительной микроглии (мкм 3 ).Все анализы проводились вслепую по генотипу.

Статистический анализ

Анализ результатов ЭРГ выполняли с использованием непарного теста t между группами при каждой интенсивности вспышки с количественными оценками, скорректированными для множественных сравнений с использованием метода Холма-Сидака. Анализ количества горизонтальных клеточных отростков, длины горизонтальных клеточных отростков, горизонтальной клеточной мозаики, толщины слоя сетчатки, qRT-PCR, количества конечных точек процесса на микроглию, суммарной длины ветвей на микроглию и процента CD68-положительного объема лизосом. проводили с использованием непарного двустороннего критерия Стьюдента t .Статистические различия оценивали с использованием программного обеспечения GraphPad Prism 8. p < 0,05 считалось статистически значимым.

Результаты

C1q регулирует ограничение горизонтальной камеры в соответствии с OPL

Чтобы изучить роль C1q в развитии сетчатки, мы получили C1qa нулевых мышей, у которых А-цепь C1q делетирована, что приводит к потере функции C1q (Botto et al., 1998). C1q отсутствовал в сетчатке этих животных, что было подтверждено с помощью РНКоскопа и количественной ПЦР всей сетчатки (дополнительная фигура 2).Мы оценили появление синаптического слоя и организацию нейронов во внешней части сетчатки по мере развития этих связей (P5-P17). У контрольных животных этот процесс включает формирование зарождающегося наружного плексиформного слоя (OPL) и реорганизацию нейритов горизонтальных клеток с апикальной на латеральную ориентацию на P5. За этим следует интеграция биполярных клеток в P8. Созревание синапсов наружной сетчатки завершается на P14, когда организованные окончания нейронов ограничиваются OPL и происходит открывание глаз (рис. 1А).Ранние события появления синапсов были неразличимы в контроле и C1q -/- животных как на P5, когда появляется OPL, так и на P8 (рис. 1B и дополнительная рис. 3). Однако по мере того, как синапсы внешней сетчатки становились активными, у мышей C1q -/- появлялись нейрон-специфические дефекты. Горизонтальные клетки не могли оставаться ограниченными OPL на P13 у мышей C1q -/- , расширяя многочисленные длинные нейриты во внешнюю часть сетчатки (рис. 1В). В результате получилось 236.5 горизонтальных ростков клеток на мм 2 , что на 70,6% больше по сравнению с контролем ( p = 0,0004, рисунок 1C). C1q –/– зависимые горизонтальные клеточные дефекты сохранялись во время развития, и эти эктопические нейриты со временем становились длиннее. На P17 и P23 средняя длина эктопических нейритов горизонтальных клеток у мышей C1q -/- составляла 17,2 и 21,8 мкм соответственно (рис. 1D). Эти дефекты не изменяют горизонтальное расстояние между клетками или мозаичное распределение, что позволяет предположить, что ядерный паттерн сохраняется, в то время как специфическая организация нейритов нарушается (дополнительная фигура 4).Чтобы изучить специфичность этих изменений, мы оценили толщину всех слоев сетчатки вместе с организацией и ограничением нейритов трех других типов нейронов внешней сетчатки: колбочек, биполярных клеток колбочек и биполярных клеток палочек. Толщина всех слоев сетчатки не изменилась у мышей C1q –/– по сравнению с контролем, и на P13 не наблюдалось морфологических различий в клеточном расположении, организации нейритов или уровнях белка синапсов в этих клетках в отсутствие C1q. (Дополнительные рисунки 5, 6).Вместе эти данные показывают, что C1q специфически участвует в удержании нейритов горизонтальных клеток в пределах OPL после открывания глаз.

Горизонтальные клетки сильно поляризованы, так что дендриты контактируют с колбочками, а аксоны контактируют со стержнями. Таким образом, мы спросили, модулирует ли C1q ограничение горизонтальных клеточных аксонов, дендритов или того и другого. Для этого мы выполнили маркировку и реконструкцию одной горизонтальной ячейки с использованием AAV2 / 9-GFP. У контрольных животных оба отсека были латерализованы, а аксоны и дендриты были ограничены тонкой пластинкой (рис. 2А и дополнительные видео 1, 2).Этот паттерн различался у мышей C1q –/– . Наблюдались длинные удлинения, возникающие из обоих горизонтальных клеточных отсеков, при этом клетки отображали расширения аксонных нейритов (рис. 2B и дополнительные видео 3, 4) и удлинения дендритных нейритов (рис. 2B и дополнительные видео 5, 6). Были затронуты только некоторые нейриты, возникающие из одной горизонтальной клетки, что указывает на то, что в дополнение к клеточной специфичности C1q-зависимое ремоделирование может быть нацелено на отдельные субклеточные области данного нервного компартмента.

Рисунок 2. C1q ограничивает подмножества нейритов горизонтальных клеток внутри аксонов и дендритов. Репрезентативные одиночные AAV-меченые горизонтальные клетки от контрольных мышей дикого типа ( A ) и C1q –/– ( B ) мышей реконструировали на P23. Изображение анфас каждой горизонтальной клетки (левая панель) показано вместе с индивидуальной реконструкцией аксона и дендрита этой клетки, представленной в виде анфас (средняя панель) и сбоку (правая панель).Подмножества нейритов как от аксонов, так и от дендритов расширяются эктопически у мышей C1q -/- (стрелки), в то время как в контроле такие удлинения нейритов не наблюдались. n = 4 горизонтальные клетки от трех контрольных мышей дикого типа и трех мышей C1q –/– соответственно. Шкала баров = 25 мкм.

Микроглия может ограничивать горизонтальные клетки посредством C1q-опосредованного фагоцитоза

Затем мы исследовали клеточную основу горизонтального ремоделирования нейритов, управляемого C1q.Для начала мы исследовали уровни и локализацию C1q в процессе развития, чтобы определить пик его экспрессии и клеточный источник, из которого он получен. Мы провели qRT-PCR для C1q на всей сетчатке на P9, P14 и у взрослых мышей (рис. 3A). Экспрессия гена C1q была наибольшей на P9, но также присутствовала на P14 на более высоких уровнях, чем у взрослых животных, что согласуется с продолжающимся образованием и ремоделированием синапсов сетчатки в эти моменты времени. Чтобы идентифицировать клеточный источник C1q , мы выполнили RNAscope на P13 вместе с совместным окрашиванием с использованием антител, специфичных для микроглии (Iba1) и горизонтальных клеток (кальбиндин) (таблица 1).Мы обнаружили, что экспрессия C1q была ограничена преимущественно микроглией во внешней и внутренней сетчатке (рис. 3В). Эти данные предполагают, что микроглия является основным клеточным источником C1q , когда наблюдаются фенотипы горизонтального ограничения клеток.

Рисунок 3. C1q экспрессируется в микроглии сетчатки во время развития. (A) qRT-PCR для C1q на P9, P14 и 14 недель. Значения представляют собой кратность уровня экспрессии мРНК по сравнению с уровнями, обнаруженными у взрослых животных после нормализации до GAPDH . (B) Репрезентативные флуоресцентные изображения гибридизации in situ на P13 C1q (зеленый), окрашенные либо Iba1 (пурпурный), либо кальбиндином (красный) для маркировки микроглии и горизонтальных клеток соответственно. C1q в это время колокализуется с микроглией, но не с горизонтальными клетками внешней части сетчатки (указатели). Вставка показывает экспрессию C1q в Iba1-положительной микроглии, которая отсутствует в кальбиндин-положительных горизонтальных клетках. Шкала баров = 25 и 10 мкм (вставка).

Затем мы спросили, изменяет ли дефицит C1q организацию или активацию микроглии. Чтобы оценить это, мы сначала изучили локализацию и морфологию микроглии. На P13 микроглия, по-видимому, заселяла внешний слой синапса сетчатки у нулевых мышей C1q на тех же уровнях, что и в контроле, и никаких существенных морфологических различий не наблюдалось (дополнительные рисунки 7A-D). Чтобы изучить активацию микроглии, мы оценили уровни CD68, которые локализовались совместно с микроглией. Этот маркер маркирует лизосомы после фагоцитоза и присутствует в высокоактивированной микроглии (da Silva and Gordon, 1999; Taylor et al., 2005). Мы визуализировали и реконструировали отдельные микроглии во внешнем слое синапсов сетчатки на P13 и оценили средний процентный объем CD68, обнаруженный в каждой клетке (рис. 4А). Мутанты C1q демонстрировали значительно уменьшенный объем CD68 в микроглии: 21,2% от общего объема микроглии занимали в контроле по сравнению с 13,6% у мутантов ( p = 0,0302, рис. 4B). В соответствии с этим открытием уровни экспрессии CD68 во всей сетчатке оказались несколько ниже у мышей C1q -/- по сравнению с контролем (рис. 4С).Вместе эти данные свидетельствуют о том, что потеря C1q приводит к снижению активации микроглии, что, в свою очередь, может способствовать уменьшению опосредованного микроглией поглощения и ограничению эктопических горизонтальных клеточных отростков.

Рисунок 4. Потеря C1q приводит к снижению активации микроглии. (A,B) Сетчатку мышей C1q –/– и контрольных мышей дикого типа на P10 окрашивали на микроглию (Iba1, серый) и маркер лизосом CD68 (зеленый). Микроглию внешней сетчатки реконструировали (A) и использовали для количественного определения относительного объема лизосом в отдельных клетках (B) .Микроглия мышей C1q –/– демонстрирует значительное уменьшение объема CD68-положительных лизосом по сравнению с контролем. (C) Уровни мРНК CD68 были количественно определены в контроле дикого типа и C1q –/– мышах с использованием qRT-PCR и нормализованы к GAPDH . CD68 Уровни мРНК имели тенденцию к снижению, но существенно не различались. N = 3 контроля и N = 3 C1q –/– мышей.Шкала баров = 25 мкм. Данные представлены как среднее ± SEM. * p < 0,05 с использованием непарного двустороннего критерия Стьюдента t .

Горизонтальное удержание клетки происходит независимо от C3aR и CR3

Путь комплемента состоит из более чем 20 сигнальных молекул, каждая из которых участвует в различных путях активации. Среди них несколько недавних исследований выявили важную роль пути C3, который расщепляется ниже C1q, генерируя C3a и C3b.Эти эффекторы могут непосредственно участвовать в передаче сигналов, что приводит к образованию комплекса мембранной атаки (MAC), но они также могут активировать нижестоящую передачу сигналов, связываясь со своими рецепторами, которые включают C3aR и CR3 соответственно. В частности, передача сигналов через путь C3-C3aR была связана с чрезмерной потерей нейронов при болезни Альцгеймера и вызванной вирусом потерей синапсов в экспериментальных моделях волчанки (Jacob et al., 2010; Lian et al., 2016; Vasek et al. , 2016). Мы исследовали уровни C3aR и CR3 в процессе развития и у взрослых, чтобы определить пик их экспрессии.Уровни обеих молекул были самыми высокими в первые две постнатальные недели во время развития наружной части сетчатки (рис. 5А, В). Таким образом, мы исследовали горизонтальное удержание клеточных нейритов во время развития у мышей с дефицитом C3aR и CR3. В обеих линиях горизонтальное удержание клеток не изменилось (рис. 5C). C3aR –/– мышей не показали значительных различий в локализации нейритов в горизонтальных клетках, количестве отростков или длине по сравнению с контролем на P13, с короткими и редкими эктопическими нейритами, обнаруженными в обоих случаях ( p = 0.8065, Фигуры 5C-E). Точно так же нейриты горизонтальных клеток были ограничены в норме у мышей CR3 –/– по сравнению с контролем на P13 ( p = 0,6066, рисунки 5C-E). Вместе эти данные предполагают, что C1q передает сигналы в микроглии через CR3 и C3aR-независимые пути, чтобы должным образом ограничивать нейриты горизонтальных клеток.

Рисунок 5. Горизонтальные клетки развиваются нормально с потерей либо C3aR, либо CR3. (A,B) qRT-PCR для белков комплемента C3aR и CR3 на P6, P13 и у взрослых мышей дикого типа.Значения представляют собой кратность уровня экспрессии мРНК по сравнению с уровнями, обнаруженными у контрольных животных после нормализации до GAPDH . N = 3 животных. Типичные изображения горизонтальных клеток ( C , анти-кальбиндин, голубой) и количественные оценки (D, E) эктопических нейритов горизонтальных клеток в контроле и C3aR –/ 6 или 4 4 CR 309434 /– мышей на P13. Горизонтальные клеточные нейриты у мышей C3aR –/ и CR3 –/– остаются ограниченными OPL, без увеличения числа (D) 90 436 или длины 90 Из эктопических нейритов ( N = 52 ростки от четырех контрольных мышей; N = 84 ростки от четырех C3AR — / — Mice; N = 67 ростки от четырех CR3 — / мышей ().Шкала баров = 25 мкм. Данные представлены в виде среднего значения ± SEM (D) или в виде пчелиных теплиц SuperPlots (E) , на которых значения отдельных горизонтальных ростков клеток представлены вместе со средним значением для каждого животного ± SEM.

Обсуждение

Наши результаты показывают, что белок комплемента C1q специфически регулирует горизонтальное удержание клеточных нейритов во время развития. Потеря C1q приводила к увеличению как плотности, так и длины эктопических нейритов горизонтальных клеток.Эти дефекты, вероятно, были связаны с изменениями в ограничении нейритов, опосредованными микроглией. Экспрессия C1q была ограничена микроглией во время развития, а у мышей C1q –/– была снижена активация микроглии. Эти результаты впервые показывают участие системы комплемента в целом и C1q в частности в развитии наружной части сетчатки и предполагают, что C1q может не только нацеливаться на определенную синаптическую пластинку, но также может достигать замечательной клеточной специфичности, удаляя нейриты, возникающие из одного типа нейронов, и сохраняя другие, присутствующие в том же типе нейронов. область синапса.

Роль комплемента в зрительной системе

Система комплемента хорошо известна своей ролью в опосредованной заболеванием иммунной активации как внутри зрительной системы, так и за ее пределами, где она может способствовать потере нейронов. В сетчатке C1q вовлечен как в возрастную дегенерацию желтого пятна, так и в глаукому (Stasi et al., 2006; Anderson et al., 2010; Khandhadia et al., 2012; Ambati et al., 2013). В головном мозге C1q может участвовать в прогрессировании заболеваний от эпилепсии до болезни Альцгеймера (Eikelenboom and Stam, 1982; Ishii and Haga, 1984; Afagh et al., 1996; Пазинетти, 1996; Висс-Корей и др., 2002 г.; Фонсека и др., 2004 г.; Ароника и др., 2007 г.; Ма и др., 2013). Наши результаты дополняют совокупность доказательств того, что комплемент также регулирует нормальное развитие ЦНС. В частности, было показано, что комплемент опосредует удаление синапсов и нейритов в разных точках передачи в зрительной цепи. Первые такие открытия были сделаны с использованием латерального коленчатого тела (LGN). В этой системе делеция C1q приводила к дефектам глазоспецифической сегрегации ретиногенетических синапсов в дорсально-латеральном коленчатом теле (dLGN) (Stevens et al., 2007). Потеря C1q приводила к повышенному перекрытию ретиногенетических связей, исходящих из контралатерального и ипсилатерального глаза, и к невозможности уточнения этих связей. Однако как дефекты уточнения dLGN, так и дефекты ограничения горизонтальных клеток не связаны с дефектами раннего развития, такими как нацеливание аксонов. Кроме того, как зависимое от C1q ремоделирование нейритов dLGN, так и горизонтальное удержание клеток, по-видимому, зависят от микроглии для удаления избыточных нервных отростков (Schafer et al., 2012). Кроме того, C1q, по-видимому, нацеливается на подмножество RGCs для удаления после их рождения (Anderson et al., 2019). Теперь мы распространяем эти данные на организацию нейритов сетчатки. Насколько нам известно, это исследование представляет собой первую задокументированную роль C1q в модуляции удержания нейритов в сетчатке.

Точные пространственно-временные роли комплемента в ЦНС

Ключевая загадка в комплемент-опосредованном уточнении синапсов заключается в том, способна ли эта система не только к региональной активности, но также к клеточной и, возможно, субклеточной специфичности.Недавняя работа предполагает, что C1q действительно может играть региональную роль в уточнении нейритов даже в зрительной системе, поскольку он требуется в LGN, но кажется необязательным в первичной зрительной коре (Stevens et al., 2007; Welsh et al., 2020). Слоистая организация клеток и синапсов в сетчатке позволила нам задаться вопросом, распространяется ли специфичность C1q на отдельные типы клеток или на определенные области внутри данного нейрона. Этот вопрос особенно актуален в OPL, потому что здесь только четыре типа нейронов образуют синапсы в одном упорядоченном слое.Мы обнаружили, что среди этих типов нейронов только горизонтальные клетки, по-видимому, нуждаются в C1q для правильной организации нейритов. Кроме того, целью была только подгруппа нейритов, возникающих из горизонтальных клеток. Т.о., даже внутри C1q-зависимого ремоделирования нейронов типа может достигать нейрит-специфической селективности. Комплемент-опосредованное нацеливание на нейриты также демонстрирует уникальные временные характеристики. Как в наружной части сетчатки, так и в dLGN дефекты появляются начиная со второй недели постнатального развития. Это время совпадает с открытием глаз, в соответствии с идеей, что микроглия участвует в зависимой от активности элиминации синапсов (Schafer et al., 2012). Взятые вместе, эти данные указывают на то, что передача сигналов, опосредованная комплементом, может регулировать субклеточное удержание ниже по течению активности цепи.

Производство и действие C1q в развитии нервной системы

В этом исследовании мы задали два вопроса относительно действия C1q: какие клетки ответственны за производство C1q и как C1q может модулировать горизонтальную клеточную организацию? Наши данные указывают на роль микроглии. Уровни C1q были самыми высокими в первые две постнатальные недели, когда достигались пики уточнения синапсов, и мРНК C1q была ограничена микроглией в течение этого периода времени.Эти результаты согласуются с другими сообщениями, в которых было обнаружено, что белки комплемента локально синтезируются микроглией и астроцитами в ЦНС (Veerhuis et al., 1999; Veerhuis et al., 2003; Bialas and Stevens, 2013; Fonseca et al., 2017). . После своего образования C1q может связываться с синапсами и нейритами в сетчатке и головном мозге (Singhrao et al., 2000; Stevens et al., 2007). В свою очередь, помеченные синапсы и нейриты, как полагают, удаляются активированной микроглией (Schafer et al., 2012). Наши данные подтверждают эту модель.Микроглия в C1q-дефицитной сетчатке показала пониженное поглощение и активацию, находка, аналогичная таковой в C1q-дефицитной dLGN (Schafer et al., 2012). Однако остается неясным, какие нижестоящие сигнальные процессы приводят к C1q-зависимому опосредованному микроглией поглощению в этой и др. системах. C1q может связываться с различными рецепторами (Malhotra et al., 1990; Kishore et al., 1998; Kishore and Reid, 2000; Paidassi et al., 2008; Kouser et al., 2015). После активации передача сигналов C1q может привести к формированию классического MAC посредством передачи сигналов через C3.Однако, в отличие от комплемент-опосредованного повреждения при заболеваниях нервной системы (Lian et al., 2016; Czir et al., 2017; Litvinchuk et al., 2018), мы обнаружили, что удержание горизонтальных клеточных нейритов не зависит как от C3aR, так и от CR3. C1q также может индуцировать несколько MAC-независимых путей, включая каноническую передачу сигналов WNT (Korb and Ahearn, 1997; Ogden et al., 2001; Paidassi et al., 2008; Hong et al., 2009; Naito et al., 2012; Bossi). и др., 2014). Кроме того, было обнаружено, что рецепторы комплемента ( cr2, gc1qr , cc1qr ) и регуляторы ( vtn , clu , crry ) экспрессируются в горизонтальных клетках (Pauly et al., 2019). В будущих исследованиях будет интересно определить, функционирует ли комплемент-зависимое ремоделирование нейронов посредством этих различных механизмов в процессе развития.

Вместе наши данные демонстрируют новую роль зависимого от комплемента ремоделирования нейритов в развивающейся внешней части сетчатки. Следует отметить открытие, что эта система может функционировать как со специфичностью, зависящей от типа нейрона, так и с субклеточной специфичностью. Это предполагает дополнительные уровни регуляции, которые могут различаться в разных типах или компартментах нейронов.Такое точное ремоделирование нейритов может также отражать потенциальную роль отдельных субпопуляций микроглии (Hammond et al., 2019; Li Q. et al., 2019). Сетчатка по-прежнему будет важным инструментом для решения этих и связанных с ними загадок.

Заявление о доступности данных

Необработанные данные, подтверждающие выводы этой статьи, будут доступны по обоснованному запросу.

Заявление об этике

Исследование на животных было рассмотрено и одобрено Комитетом по уходу и использованию животных Медицинского колледжа Бейлора.

Вклад авторов

CB, DJ и MS разработали эксперименты и написали рукопись. FL провела первичный анализ мутантных мышей. CB, DJ и FL получили изображения. DJ выполнил реконструкцию IMARIS, а также RNAscope и qRT-PCR. CB и DJ провели анализ гистологических данных и создали фигуры. ЦБ выполнял ЭРГ и инъекции вируса. Все авторы внесли свой вклад в статью и одобрили представленную версию.

Финансирование

Эта работа была поддержана Национальными институтами здравоохранения (NIH, DP2EY02798, 1R56AG061808 и R01EY030458 для MS), Техасским научно-исследовательским институтом профилактики рака и Фондом исследований мозга.CB был поддержан NIH и Национальным глазным институтом под номером награды T32EY007001.

Конфликт интересов

Авторы заявляют, что исследование проводилось при отсутствии каких-либо коммерческих или финансовых отношений, которые могли бы быть истолкованы как потенциальный конфликт интересов.

Благодарности

Мы благодарим Элизабет Зунига-Санчес и сотрудников нашей лаборатории за научные обсуждения и советы. Мы благодарим лабораторию Хуэй Чжэн за использование IMARIS.

Дополнительный материал

Дополнительный материал к этой статье можно найти в Интернете по адресу: https://www.frontiersin.org/articles/10.3389/fncir.2020.583391/full#supplementary-material

.

Дополнительный рисунок 1 | Потеря C1q приводит к снижению функции сетчатки. (A) Репрезентативные следы скотопических записей от контрольных мышей дикого типа и C1q –/– мышей. Скотопическая а-волна (B) и b-волна (C) значительно снижены у мышей C1q –/– . N = 4 контрольных мыши дикого типа и 4 мыши C1q –/– . Неявное время для скотопной волны (D) и скотопной волны b (E) существенно не отличается. N = 4 контрольных мыши дикого типа и 4 мыши C1q –/– . Фотопическая а-волна (F) ниже, но незначительно снижена у мышей C1q –/– , в то время как фотопическая b-волна (G) значительно снижена. N = 4 контрольных мыши дикого типа и 3 C1q –/– мышей.Данные представлены как среднее ± SEM. ∗∗∗ р < 0,001, ∗∗ р < 0,01, р < 0,05, непарный 4с 4-94 тест Стьюдента двусторонний

Дополнительный рисунок 2 | Потеря мРНК C1q у мышей с нокаутом C1q. (A) Репрезентативное флуоресцентное изображение гибридизации in situ C1q (зеленый) у мышей C1q –/– на P13. (B) qRT-PCR для C1q мРНК у C1q –/– и контрольных мышей на P13.Значения представляют собой кратность уровня экспрессии мРНК по сравнению с уровнями, обнаруженными у контрольных животных после нормализации до GAPDH . Наблюдается значительное снижение уровней мРНК C1q у мышей C1q –/– по сравнению с контрольными животными дикого типа. N = 3 контрольных мыши дикого типа и 3 мыши C1q –/– . Шкала баров = 25 мкм. Данные представлены как среднее ± SEM. ∗∗∗ p < 0,001, непарный двусторонний критерий Стьюдента t-.

Дополнительный рисунок 3 | Появление синаптического слоя кажется нормальным у C1q –/– животных. (A) Репрезентативные изображения OPL (стрелки), верхняя граница которых определяется клетками ONL (ядра, DAPI), а нижняя граница определяется клетками INL (ядра, DAPI; горизонтальные тела клеток, звездочки) на Р5 и Р8. OPL обычно появляется как у контрольных мышей дикого типа, так и у мышей C1q –/– . (B) Репрезентативные изображения горизонтальных клеток (кальбиндин) на P5.Уточнение горизонтальных клеточных нейритов как у контрольных мышей дикого типа, так и у мышей C1q -/- кажется нормальным. (C) Репрезентативные изображения конусов (OPN1SW) на P5. Удлинение аксона как у контрольных мышей дикого типа, так и у мышей C1q –/– выглядит нормальным. Шкала баров = 25 мкм.

Дополнительный рисунок 4 | Потеря C1q не изменяет расстояние между горизонтальными мозаичными клетками. (A) Репрезентативные плоские изображения горизонтальных клеток (кальбиндин, голубой) в контроле и C1q –/– мышей на P10.Количественные оценки горизонтальной плотности клеток (B) , индекса регулярности области Вороного (C) и профилей восстановления плотности контрольных и C1q –/– горизонтальных ячеек (D) . Нет существенной разницы в горизонтальной плотности ячеек или расстоянии друг от друга. N = 3 контрольных мыши дикого типа и 3 мыши C1q –/– . Шкала баров = 25 мкм. Данные представлены как среднее ± SEM.

Дополнительный рисунок 5 | Потеря C1q не изменяет морфологических особенностей других типов нейронов наружной сетчатки. (A) Репрезентативные изображения колбочек (аррестин, красный; P17), биполярных клеток колбочек (секретагогин, пурпурный; P13) и биполярных клеток палочек (PKCα, зеленый; P13) в контроле дикого типа и C1q –/– мышей. В этих клетках не наблюдается явных изменений в клеточной организации или морфологии нейритов. (B) Количественная оценка толщины слоя сетчатки у мышей дикого типа в контроле и C1q –/– мышей в процессе развития. Не наблюдалось существенной разницы в толщине слоя на P13, P17 или P23. N ≥ 3 мышей для каждой временной точки. Шкала баров = 25 мкм. Данные представлены как среднее ± SEM.

Дополнительный рисунок 6 | Организация и уровни пресинаптических белков во внешней части сетчатки не изменяются при потере C1q. (A) Репрезентативные изображения связанных с синапсом белков PSD95 (желтый), RIBEYE (пурпурный) и VGLUT1 (зеленый) в контроле дикого типа и C1q –/– мышей на P13. Никаких изменений в организации этих белков, связанных с синапсами, не наблюдается. (B) Репрезентативные изображения связанных с синапсом белков PSD95 (желтый), RIBEYE (пурпурный) и VGLUT1 (зеленый) в контроле дикого типа и C1q –/– мышей на P17. Никаких изменений в организации этих белков, связанных с синапсами, не наблюдается. (C) QRT-PCR для синаптических белков PSD95 , везикулярный глютаматный транспортер 1 ( vglut1 ), Synaptotagmin2 ( SYT2 ) и Syp ) в P13 в диком виде контроль и C1q –/– мышей.Значения представляют собой кратность уровня экспрессии мРНК по сравнению с уровнями, обнаруженными у контрольных животных после нормализации до GAPDH . Нет существенной разницы в уровнях мРНК между контрольными мышами дикого типа и C1q -/- мышами. Шкала баров = 25 мкм. Данные представлены как среднее ± SEM.

Дополнительный рисунок 7 | Морфология микроглии во внешней части сетчатки существенно не изменяется в отсутствие C1q. (A) Репрезентативные изображения локализации микроглии (Iba1, пурпурный) в различных слоях сетчатки, визуализированные путем совместного окрашивания ядер (DAPI, серый) на P10.Не наблюдалось явных различий в локализации микроглии у C1q –/– животных по сравнению с контролем дикого типа. (B) Репрезентативные плоские изображения микроглии (Iba1, пурпурный) в OPL в контроле дикого типа и C1q –/– мышей на P10. Количественные оценки количества конечных точек отростков микроглии на клетку (C) и суммарной длины ветвей на микроглию (D) в контроле дикого типа и мышей C1q -/- на P10.Значимых различий ни по одному параметру не наблюдалось. N = 3 контроля и N = 3 C1q –/– мышей. Шкала баров = 25 мкм. Данные представлены как среднее ± SEM.

Дополнительное видео 1 | Дендриты дикого типа контролируют горизонтальную клетку.

Дополнительное видео 2 | Аксон и окончание аксона контрольной горизонтальной клетки дикого типа.

Дополнительное видео 3 | Дендриты нокаутной горизонтальной клетки C1q 1.

Дополнительное видео 4 | Аксон и терминал аксона нокаутной горизонтальной клетки C1q 1.

Дополнительное видео 5 | Дендриты нокаутной горизонтальной ячейки C1q 2.

Дополнительное видео 6 | Аксон и терминал аксона нокаутной горизонтальной клетки C1q 2.

Каталожные номера

Афаг, А., Каммингс, Б.Дж., Криббс, Д.Х., Котман, К.В., и Теннер, А.Дж. (1996). Локализация и клеточная ассоциация C1q в головном мозге при болезни Альцгеймера. Экспл. Нейрол. 1, 22–32. doi: 10.1006/exnr.1996.0043

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Альбрехт, Н. Э., Алеви, Дж., Цзян, Д., Бургер, К. А., Лю, Б. И., Ли, Ф., и соавт. (2018). Быстрое и интегративное открытие регуляторных молекул сетчатки. Cell Rep. 9, 2506–2519. doi: 10.1016/j.celrep.2018.07.090

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Андерсон, Д. Х., Радеке, М. Дж., Галло, Н.Б., Чапин, Э.А., Джонсон, П.Т., Курлетти, С.Р., и соавт. (2010). Ключевая роль системы комплемента в старении и возрастной дегенерации желтого пятна: пересмотр гипотезы. Прог. Ретин. Глаз Res. 2, 95–112. doi: 10.1016/j.preteyeres.2009.11.003

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Андерсон, С.Р., Чжан, Дж., Стил, М.Р., Ромеро, К.О., Каутцман, А.Г., Шафер, Д.П., и соавт. (2019). Комплемент нацелен на ганглиозные клетки сетчатки новорожденных для фагоцитарной элиминации микроглией. J. Neurosci. 11, 2025–2040 гг. doi: 10.1523/JNEUROSCI.1854-18.2018

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Ароника, Э., Бур, К., ван Влит, Э.А., Редекер, С., Баайен, Дж.К., Сплиет, В.Г.М., и соавт. (2007). Активация комплемента при экспериментальной и человеческой височной эпилепсии. Нейробиол. Дис. 3, 497–511. doi: 10.1016/j/nbd.2007.01.015

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Бялас, А.Р. и Стивенс Б. (2013). Передача сигналов TGF-Beta регулирует экспрессию нейронов C1q и улучшение синаптических процессов в процессе развития. Нац. Неврологи. 12, 1773–1782 гг. doi: 10.1038/nn.3560

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Bossi, F., Tripodo, C., Rizzi, L., Bulla, R., Agostinis, C., Guarnotta, C., et al. (2014). C1q как уникальный участник ангиогенеза с терапевтическим значением для заживления ран. Проц. Натл. акад. науч. США 11, 4209–4214.doi: 10.1073/pnas.1311968111

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Ботто, М., Делл’Аньола, К., Бигрейв, А.Е., Томпсон, Э.М., Кук, Х.Т., Петри, Ф., и др. (1998). Гомозиготный дефицит C1q вызывает гломерулонефрит, связанный с множественными апоптозными тельцами. Нац. Жене. 1, 56–59. doi: 10.1038/ng0598-56

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Чу Ю., Джин Х., Парада И., Пешич А., Стивенс Б., Баррес, Б., и соавт. (2010). Расширенная синаптическая связь и эпилепсия у мышей с нокаутом C1q. Проц. Натл. акад. науч. США 17, 7975–7980. doi: 10.1073/pnas.0

9107

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Coxon, A., Rieu, P., Barkalow, F.J., Askari, S., Sharpe, A.H., von Andrian, U.H., et al. (1996). Новая роль бета-2-интегрина Cd11b/CD18 в апоптозе нейтрофилов: гомеостатический механизм воспаления. Иммунитет 6, 653–666.doi: 10.1016/s1074-7613(00)80278-2

Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

Цир, Э., Кастелло, Н.А., Мошер, К.И., Кастеллано, Дж.М., Хинксон, И.В., Лучин, К.М., и соавт. (2017). Микроглиальный рецептор комплемента 3 регулирует уровни АВ в головном мозге посредством секретируемой протеолитической активности. Дж. Экспл. Мед. 4, 1081–1092. doi: 10.1084/jem.20162011

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

да Силва Р.П. и Гордон С. (1999). Фагоцитоз стимулирует альтернативное гликозилирование макросиалина (мышиный CD68), специфичного для макрофагов эндосомального белка. Биохим. Дж. 338, 687–694. дои: 10.1042/0264-6021:3380687

Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

Даше, Р.Ф., и Равиола, Э. (1986). Путь палочки в сетчатке кролика: деполяризующая биполярная и амакриновая клетка. J. Neurosci. 2, 331–345. doi: 10.1523/JNEUROSCI.06-02-00331.1986

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Eikelenboom, P., и Stam, F.C. (1982). Иммуноглобулины и факторы комплемента в сенильных бляшках.Исследование иммунопероксидазы. Акта Нейропатол. 57, 239–242. дои: 10.1007/BF00685397

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Fonseca, M.I., Chu, S., Hernandez, M.X., Fang, J.M., Modarresi, L., Selva, P., et al. (2017). Специфическая для клеток делеция C1qa идентифицирует микроглию как доминирующий источник C1q в мозге мыши. Дж. Нейровоспаление 1:48. doi: 10.1186/s12974-017-0814-9

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Фонсека, М.И., Чжоу Дж., Ботоо М. и Теннгер А. Дж. (2004). Отсутствие C1q приводит к меньшей невропатологии в моделях болезни Альцгеймера у трансгенных мышей. J. Neurosci. 29, 6457–6465. doi: 10.1523/JNEUROSCI.0901-04.2004

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Гош К.К., Буджан С., Хаверкамп С., Фейгенспан А. и Вессле Х. (2004). Типы биполярных клеток в сетчатке мыши. J. Комп. Нейрол. 1, 70–82. doi: 10.1002/cne.10985

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Хаммонд, Т.Р., Дюфорт, К., Диссинг-Олесен, Л., Гиера, С., Янг, А., Высокер, А., и соавт. (2019). Секвенирование одноклеточной РНК микроглии на протяжении всей жизни мыши и в поврежденном мозге выявляет сложные изменения состояния клеток. Иммунитет 1, 253–271.e6. doi: 10.1016/j.immuni.2018.11.004

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Hong, Q., Sze, C., Lin, S., Lee, M., He, R., Schultz, L., et al. (2009). Комплемент C1q активирует супрессор опухоли WWOX, вызывая апоптоз в клетках рака предстательной железы. PLoS One 6:e5755. doi: 10.1371/journal.pone.0005755

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Хонг С., Бежа-Глассер В.Ф., Нфоноим Б.М., Фруин А., Ли С., Рамакришнан С. и соавт. (2016). Комплемент и микроглия опосредуют раннюю потерю синапсов в моделях мышей с болезнью Альцгеймера. Наука 6286, 712–716. doi: 10.1126/science.aad8373

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Хамблс, А. А., Лу, Б., Nilsson, C.A., Lilly, C., Israel, E., Fujiwara, Y., et al. (2000). Роль рецептора анафилатоксина C3a в эффекторной фазе астмы. Природа 6799, 990–1001. дои: 10.1038/350231175

Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

Исии Т. и Хага С. (1984). Иммуно-электронно-микроскопическая локализация комплемента в амилоидных фибриллах сенильных бляшек. Акта Нейропатол. 63, 296–300. дои: 10.1007/BF00687336

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Джейкоб, А., Бао, Л., Брорсон, Дж., Куигг, Р.Дж., и Александр, Дж.Дж. (2010). Ингибирование C3aR уменьшает нейродегенерацию при экспериментальной волчанке. Волчанка 19, 73–82. дои: 10.1177/0961203309348978

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Кхандхадиа, С., Сиприани, В., Йейтс, Дж. Р. В., и Лотери, А. Дж. (2012). Возрастная макулодистрофия и система комплемента. Иммунобиология 2, 127–146. doi: 10.1016/j.imbio.2011.07.019

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Кишор, Ю., Leigh, L.E., Eggleton, P., Strong, P., Perdikoulis, M.V., Willis, A.C., et al. (1998). Функциональная характеристика рекомбинантной формы С-концевой области глобулярной головки В-цепи белка комплемента сыворотки крови человека, C1q. Биохим. Дж. 333, 27–32. дои: 10.1042/bj3330027

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Кишор, У., и Рид, К.Б. (2000). C1q: структура, функция и рецепторы. Иммунофармакология 49, 159–170.doi: 10.1016/s0162-3109(00)80301-x

Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

Корб, Л.С., и Ахерн, Дж.М. (1997). C1q напрямую и специфически связывается с поверхностными пузырьками апоптотических кератиноцитов человека: еще раз о дефиците комплемента и системной красной волчанке. Дж. Иммунол. 10, 4525–4528.

Академия Google

Коузер, Л., Мадукаран, С.П., Шастри, А., Сараон, А., Ферлуга, Дж., Аль-Мозаини, М., и др. (2015). Новые и новые функции белка комплемента C1q. Перед. Иммунол. 6:317. doi: 10.3389/fimmu.2015.00317

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Kunnakkadan, U., Nag, J., Kumar, N.A., Mukesh, R.K., Suma, S.M., et al. (2019). Комплемент-опосредованная нейтрализация мощного нейротропного патогена человека, вируса Чандипура, зависит от C1q. Дж. Вирол. 19:e00994-19. doi: 10.1128/ОВИ.00994-19

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Ли, К., Cheng, Z., Zhou, L., Darmanis, S., Neff, N.F., Okamoto, J., et al. (2019). Гетерогенность развития микроглии и миелоидных клеток головного мозга, выявленная с помощью глубокого секвенирования одноклеточной РНК. Нейрон 2, 207–223.e10. doi: 10.1016/j.neuron.2018.12.006

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Лиан Х., Литвинчук А., Чанг А.С., Айтмитти Н., Янковский Дж.Л. и Чжэн Х. (2016). Взаимодействия астроцитов и микроглии посредством активации комплемента модулируют амилоидную патологию в мышиных моделях болезни Альцгеймера. J. Neurosci. 2, 577–589. doi: 10.1523/JNEUROSCI.2117-15.2016

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Литвинчук А., Ван Ю., Шварцландер Д. Б., Чен Ф., Коул А., Пропсон Н. Е. и соавт. (2018). Инактивация комплемента C3aR ослабляет патологию тау и обращает вспять иммунную сеть, нарушенную в моделях таупатии и болезни Альцгеймера. Нейрон 100, 1337–1353.e5.

Академия Google

Ливак, К. Дж., и Шмитген, Т.Д. (2001). Анализ данных об относительной экспрессии генов с использованием количественной ПЦР в реальном времени и метода 2 (-дельта-дельта C (T)). Методы 4, 402–408. doi: 10.1006/meth.2001.1262

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Ма, Ю., Рамачандран, А., Форд, Н., Парада, Н., и Принс, Д. А. (2013). Ремоделирование дендритов и шипиков в модели генетической эпилепсии с нокаутом C1q. Эпилепсия 7, 1232–1239. дои: 10.1111/эпи.12195

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Малхотра, Р., Sim, R.B., and Reid, K.B. (1990). Взаимодействие C1q и других белков, содержащих коллагеноподобные домены, с рецептором C1q. Биохим. соц. Транс. 6, 1145–1148. дои: 10.1042/bst0181145

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Мукаи Р., Окунуки Ю., Хусейн Д., Ким С. Б., Ламбрис Д. Д. и Коннор К. М. (2018). Система комплемента играет решающую роль в поддержании целостности сетчатки при старении. Перед. Стареющие нейроски. 10:15.doi: 10.3389/fnagi.2018.00015

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Наито, А. Т., Сумида, Т., Номура, С., Лю, М., Хиго, Т., Накагава, А., и другие. (2012). Комплемент C1q активирует каноническую передачу сигналов Wnt и способствует фенотипам, связанным со старением. Сотовый 6, 1298–1313. doi: 10.1016/j.cell.2012.03.047

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Огден, К.А., деКателино, А., Хоффманн, П.Р., Браттон, Д., Гебрехивет, Б., Фадок В.А., и соавт. (2001). C1q и манноза связывают лектин, вовлекая кальретикулин клеточной поверхности, и Cd91 инициирует макропиноцитоз и поглощение апоптотических клеток. Дж. Экспл. Мед. 6, 781–796. doi: 10.1084/jem.194.6.781

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Пайдасси, Х., Такнет-Делорм, П., Гарлатти, В., Дарно, К., Гебрехивет, Б., Габорио, К., и др. (2008). C1q связывает фосфатидилсерин и, вероятно, действует как мультилигандная мостиковая молекула при распознавании апоптотических клеток. Дж. Иммунол. 4, 2329–2338. doi: 10.4049/jиммунол.180.4.2329

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Пазинетти, Г. М. (1996). Воспалительные механизмы при нейродегенерации и болезни Альцгеймера: роль системы комплемента. Нейробиол. Старение 5, 707–716. дои: 10.1016/0197-4580(96)00113-3

Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

Поли, Д., Агарвал, Д., Дана, Н., Шефер, Н., Бибер, Дж., Вундерлих, К.А. и др. (2019). Экспрессия комплемента, специфичная для типа клеток, в здоровой и пораженной сетчатке. Cell Rep. 9, 2835–2848. doi: 10.1016/j.celrep.2019.10.084

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Риклин, Д., Хаджишенгаллис, Г., Ян, К., и Ламбрис, Дж. Д. (2010). Комплемент — ключевая система иммунного надзора и гомеостаза. Нац. Иммунол. 9, 785–797. doi: 10.1038/ni.1923

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Родик, Р.В. (1991). Профиль восстановления плотности: метод анализа точек на плоскости, применимый к исследованиям сетчатки. Виз. Неврологи. 6, 95–111. doi: 10.1017/s095252380001049x

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Samuel, M.A., Voinescu, P.E., Lilley, B.N., Cabo, R., Foretz, M., Viollet, B., et al. (2014). LKB1 и AMPK регулируют ремоделирование синапсов в пожилом возрасте. Нац. Неврологи. 9, 1190–1197. doi: 10.1038/nn.3772

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Шафер, Д.П., Лерман, Э. К., Хеллер, К. Т., и Стивенс, Б. (2014). Анализ поглощения: протокол для оценки взаимодействия между фагоцитами ЦНС и нейронами. Дж. Виз. Эксп. 88:51482. дои: 10.3791/51482

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Шафер Д.П., Лерман Э.К., Каутцман А.Г., Кояма Р., Мардинли А.Р., Ямасаки Р. и соавт. (2012). Микроглия формирует постнатальные нейронные цепи в зависимости от активности и комплемента. Нейрон 4, 691–705.doi: 10.1016/j.neuron.2012.03.026

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Сильверман, С. М., Ма, В., Ван, X., и Вонг, В. Т. (2019). C3- и CR3-зависимый клиренс микроглии защищает фоторецепторы при пигментном ретините. Дж. Экспл. Мед. 8, 1925–1943 гг. doi: 10.1084/jem.201

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Singhrao, S.K., Neal, J.W., Rushmere, N.K., Morgan, B.P., and Gasque, P. (2000).Спонтанная активация классического пути и дефицит мембранных регуляторов делают нейроны человека восприимчивыми к лизису комплемента. утра. Дж. Патол. 3, 905–918. doi: 10.1016/S0002-9440(10)64604-4

Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

Spandidos, A., Wang, X., Wang, H., and Seed, B. (2010). PrimerBank: ресурс пар праймеров для ПЦР человека и мыши для обнаружения и количественного определения экспрессии генов. Рез. нуклеиновых кислот. 38, Д792–Д799. doi: 10.1093/nar/gkp1005

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Штази, К., Nagel, D., Yang, X., Wang, R., Ren, L., Podos, S.M., et al. (2006). Активация компонента комплемента 1Q (C1Q) в сетчатке глаукоматозных глаз мышей, приматов и человека. Инвест. Офтальмол. Вис. науч. 3, 1024–1029. doi: 10.1167/iovs.05-0830

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Stevens, B., Allen, N.J., Vazques, L.E., Howell, G.R., Christopherson, K.S., Nouri, N., et al. (2007). Классический каскад комплемента обеспечивает элиминацию синапсов ЦНС. сотовый 6, 1164–1178. doi: 10.1016/j.cell.2007.10.036

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Тейлор Д.Л., Джонс Ф., Чен Сехо Кубота Э.С.Ф. и Покок Дж.М. (2005). Стимуляция микроглиального метаботропного глутаматного рецептора mGlu2 запускает нейротоксичность, индуцированную фактором некроза опухоли альфа, совместно с fas-лигандом, полученным из микроглии. J. Neurosci. 11, 2952–2964. doi: 10.1523/JNEUROSCI.4456-04.2005

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Васек М.Дж., Гарбер К., Дорси Д., Даррант Д.М., Боллман Б., Сунг А. и др. (2016). Ось комплемент-микроглия вызывает потерю синапсов во время вызванного вирусом нарушения памяти. Природа 7608, 538–543. doi: 10.1038/nature18283

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Вирхуис, Р., Янссен, И., Де Гроот, С.Дж., Ван Муисвинкель, Ф.Л., Хак, С.Е., и Эйкеленбум, П. (1999). Цитокины, связанные с амилоидными бляшками в мозге при болезни Альцгеймера, стимулируют культуры глиальных и нейрональных клеток к секреции ранних белков комплемента, но не С1-ингибитора. Экспл. Нейрол. 160, 289–299. doi: 10.1006/exnr.1999.7199

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Veerhuis, R., Van Breemen, M.J., Hoozemans, J.M., Morbin, M., Ouladhadj, J., Tagliavini, F., et al. (2003). Белки C1q и SAP, ассоциированные с бета-амилоидными бляшками, усиливают индуцированную пептидом Abeta (1-42) секрецию цитокинов микроглией взрослого человека in vitro . Акта Нейропатол. 105, 135–144. doi: 10.1007/s00401-002-0624-7

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Вукойчич, А., Delestrée, N., Fletcher, E.V., Pagiazitis, J.G., Sankaranarayanan, S., Yednock, T.A., et al. (2019). Классический путь комплемента опосредует зависимое от микроглии ремоделирование спинномозговых двигательных цепей во время развития и при СМА. Cell Rep. 10, 3087–3100.e7. doi: 10.1016/j.celrep.2019.11.2013

Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

Уэлш, К.А., Стефани, К., Сапп, Р.В., и Стивенс, Б. (2020). Пластичность глазного доминирования в бинокулярной первичной зрительной коре не требует C1q. J. Neurosci. 4, 769–783. doi: 10.1523/JNEUROSCI.1011-19.2019

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Wyss-Coray, T., Yan, F., Lin, A.H., Lambris, J.D., Alexander, J.J., Quigg, R.J., et al. (2002). Выраженная нейродегенерация и повышенное образование бляшек у мышей с болезнью Альцгеймера, ингибированных комплементом. Проц. Натл. акад. науч. США 16, 10837–10842. doi: 10.1073/pnas.162350199

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Янг, К.и Моррисон, Х. (2018). Количественная оценка морфологии микроглии по микрофотографиям иммуногистохимически подготовленной ткани с использованием ImageJ. Дж. Виз. Эксп. 136:57648. дои: 10.2791/57648

Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

Чжан, А.-Дж., Чжан, Дж., и Ву, С.М. (2006). Электрическая связь, рецептивные поля и относительные входы палочек / колбочек горизонтальных клеток в сетчатке тигровой саламандры. J. Комп. Нейрол. 3, 422–431. doi: 10.1002/cne.21117

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Руководство пользователя приводов среднего напряжения

SC9000 EP

%PDF-1.6 % 1162 0 объект > эндообъект 1202 0 объект >поток 11.08.51682018-07-21T16: 55: 39.733-04: 00acrobat Элементы 9.0.0 (Windows) Eaton4552DC4BC720850E0F1BB5D23B7078BAE43698B093898B093899B0938Script5.dll версия 5.2.22018-07-21T12: 13: 28.000-05: 002018-07-21T13: 13: 28 000- 04:002017-11-06T10:43:39.000-05:00application/pdf2018-07-21T17:00:24.262-04:00

  • Eaton
  • ampgard, sc9000, 7.2kV, 4160V, приводы среднего напряжения, среднее напряжение, энергосбережение, руководство по установке, инструкции, обслуживание
  • Руководство пользователя приводов среднего напряжения SC9000 EP
  • uuid:177362b1-cd28-4024-ac20-49f60bcda063uuid:33b6d618-8d14-4acf-9510-d01c6ff411faAcrobat Elements 9.0.0 (Windows)
  • eaton:product-taxonomy/medium-voltage-power-distribution-control-systems/medium-voltage-power-distribution-control-systems/medium-voltage-motor-control/sc9000-ep- arc-proof-medium-voltage-variable-frequency-drive
  • eaton:таксономия продуктов/системы управления распределением мощности среднего напряжения/управление двигателем среднего напряжения/sc9000-ep-преобразователь частоты среднего напряжения
  • eaton:search-tabs/content-type/resources
  • eaton:страна/северная америка/сша
  • eaton:ресурсы/технические ресурсы/инструкции по установке
  • eaton:language/en-us
  • конечный поток эндообъект 1184 0 объект > эндообъект 1163 0 объект > эндообъект 1135 0 объект > эндообъект 1137 0 объект > эндообъект 1138 0 объект > эндообъект 1149 0 объект > эндообъект 1150 0 объект > эндообъект 1151 0 объект > эндообъект 1152 0 объект > эндообъект 1153 0 объект > эндообъект 1154 0 объект > эндообъект 1155 0 объект > эндообъект 1156 0 объект > эндообъект 728 0 объект > эндообъект 731 0 объект > эндообъект 734 0 объект > эндообъект 737 0 объект > эндообъект 740 0 объект > эндообъект 743 0 объект > эндообъект 746 0 объект > эндообъект 749 0 объект > эндообъект 1048 0 объект [1049 0 Р] эндообъект 750 0 объект >поток h[rɑ#B^8zw#-:&Ž}Id

    Спецификация C0810 — CMOS 0.8-мм высокопрочный полимер для аналоговых

    100343D : 8-битная защелка с низким энергопотреблением. 100343 содержит восемь защелок D-типа, отдельные входы (Dn), выходы (Qn), общий вывод включения (E) и вывод включения защелки (LE). Выход Q следует за входом D, когда и E, и LE имеют НИЗКИЙ уровень. Когда один или LE (или оба) имеют ВЫСОКИЙ уровень, защелка сохраняет последние действительные данные, представленные на ее входе D, до того, как LE перейдет в ВЫСОКИЙ уровень. Выходы 100343 предназначены для привода.

    LT108505220M : . Низкие характеристики падения напряжения Фиксированное или регулируемое напряжение Фиксированное выходное напряжение и выходной ток 12 В Линейное регулирование 3 А / В тип.Регулировка нагрузки 0,1% тип. Военный температурный диапазон до +150C) Контакт 2 3 Фиксированный Регулируемый ВЫХОДНОЙ ВХОД НАСТРОЙКИ ЗАЗЕМЛЕНИЯ Корпус ИЗОЛИРОВАН LT108505220M LT108512220M Положительный регулируемый регулятор Фиксированный регулятор +5В Фиксированный.

    PUB4421 : Составное устройство — силовые транзисторные массивы. Кремний NPN с тройной диффузией плоскостного типа Дарлингтона Встроенный стабилитрон (30 В) между коллектором и основанием Малый разброс в выдерживаемом давлении Большая энергоемкость Высокоскоростное переключение PUB4121 (PU4121): NPN 4 элемента PUB4421 (PU4421): NPN 2 элемента 2 Параметр Напряжение коллектор-база (эмиттер открыт) Напряжение коллектор-эмиттер (база открыта).

    SN54F541FK : Восьмеричные буферы/драйверы с выходами с 3 состояниями. Выходы с 3 состояниями Линии шины привода или адресные регистры буферной памяти Сквозная разводка выводов данных (все входы находятся на противоположной стороне от выходов) Варианты корпусов: пластиковые корпуса с малыми габаритами, керамические держатели микросхем, а также пластиковые и керамические DIP-вставки Восьмеричный буфер/линия F541 Драйвер идеально подходит для управления линиями шины или буферизации адресных регистров памяти. Устройство.

    AC1008 : Каскадный усилитель TO-8 от 5 до 1000 МГц.Средняя выходная мощность. Средний выигрыш. Высший IP третьего порядка Высокоэффективная тонкопленочная пленка Стандартный размер TO-8 Частота (мин.) Усиление слабого сигнала (мин.) Неравномерность усиления (макс.) Коэффициент шума (макс.) КСВ (макс.) Вход/выход 5–10 МГц 10–1000 МГц Мощность Выход (мин.) при 1 дБ комп. Точка пересечения гармоники второго порядка постоянного тока (макс.). Двухтональный перехват второго порядка.

    D8NA5Y4 : Аттенюатор для поверхностного монтажа 8 Вт. D8NAXXY4 представляет собой высокопроизводительный аттенюатор из нитрида алюминия (AlN) для поверхностного монтажа, предназначенный в качестве более дешевой альтернативы оксиду бериллия (BeO).Аттенюатор хорошо подходит для всех диапазонов частот сотовой связи, таких как; AMPS, GSM, DCS, PCS, PHS и UMTS. Работа с высокой мощностью делает этот компонент идеальным для межкаскадного согласования, направленных ответвителей и для использования в изоляторах.

    NTE1046 : Интегральная схема TV AFC. Абсолютные максимальные значения: (TA = +25C, если не указано иное) Напряжение питания, VCC. Входное напряжение 20 В, VIN. Ток питания 7Vp-p, ICC. Рассеиваемая мощность 30 мА (TA = 70C), PD. Диапазон рабочих температур 360 мВт, топ.до +75С Диапазон температур хранения, Tstg. до +125C Электрические характеристики: (TA = +25C, VCC = 16В, если не указано иное).

    MA11FBA : 14-контактный DIP, 5,0 В, Acmos/ttl, тактовый генератор. MtronPTI оставляет за собой право вносить изменения в описанные здесь продукты и услуги без предварительного уведомления. Никакая ответственность не принимается в результате их использования или применения. Пожалуйста, посетите www.mtronpti.com для ознакомления с нашим полным предложением и подробными описаниями. Свяжитесь с нами, чтобы узнать о конкретных требованиях вашего приложения: MtronPTI 1-800-762-8800..

    2-1546979-1 : Клеммная колодка со сквозным отверстием — соединители барьерного блока, межсоединение со сквозным отверстием; ОГРАНИЧИТЕЛЬНАЯ ПОЛОСА 21POS VERT .438″. s: Цвет: Черный ; Тип крепления: Сквозное отверстие ; Количество позиций: 21 ; Количество рядов: 1 ; Шаг: 0,438″ (11,12 мм) ; Тип клеммной колодки: Барьерная колодка; Количество цепей: 21; : — ; Ток: 20А; Напряжение: 600 В; Калибр проволоки: 12-22.

    RDB-10 : Десятилетние коробки DECADE BOX. Десятилетние блоки сопротивления RDB-10 и емкости CDB-10 от Global Specialties представляют собой компактные, удобные портативные инструменты, помогающие в инженерном проектировании и тестировании, а также в калибровке испытательного оборудования.Оба являются пассивными устройствами, не требующими источника питания. Global Specialties’ RDB-10 и CDB-10 Decade.

    B37940K1221J070 : Керамический конденсатор 220 пФ 0805 (метрическая система 2012 г.) 100 В; CAP CERM 220PF 100V C0G 5% 0805. s: Емкость: 220pF; Напряжение — Номинальное: 100 В; Допуск: 5%; Упаковка/кейс: 0805 (метрическая система 2012 г.); Температурный коэффициент: C0G, NP0; Упаковка: лента и катушка (TR); : — ; Расстояние между выводами: — ; Рабочая температура: -55C ~ 125C; Тип монтажа: поверхностный монтаж, MLCC.

    445730-1 : D-образный, D-образный — корпусные разъемы, межблочная розетка для гнездовых контактов; СОЕДИНЕНИЕ D-SUB RCPT HSING 8C8 MIX.s: Тип разъема: Гнездо для контактов типа «мама»; : — ; Характеристика фланца: полый, без резьбы; Количество позиций: 8 (коаксиальный или силовой); Количество рядов: 1; Тип: 8C8; Примечание: контакты не указаны; Статус без содержания свинца: содержит свинец; RoHS.

    TPS60210DGSG4 : Pmic — регулятор напряжения — постоянный ток Импульсный регулятор постоянного тока Интегральная схема (ics) Повышающий (повышающий), переключаемый конденсатор (зарядный насос) 100 мА 3,3 В; IC BST CHRGPUMP 3.3V 0.1A 10MSOP. s: Тип: повышающий (повышение), переключаемый конденсатор (зарядный насос); Тип выхода: Фиксированный; Тип ШИМ: — ; Синхронный выпрямитель: нет; Количество выходов: 1 ; Напряжение — Выход: 3.3В ; Текущий.

    ALE12F09 : Реле питания более 2 А; РЕЛЕ ГЕНЕРАЛЬНОЕ НАЗНАЧЕНИЕ SPST 16А 9В. s: Тип реле: общего назначения; Контактная форма: SPST-NO (1 форма A); Номинал контакта (ток): 16А; Напряжение переключения: 277 В переменного тока — макс.; Тип катушки: без фиксации; Ток катушки: 44,4 мА; Напряжение катушки: 9 В постоянного тока; Напряжение включения (макс.): 6,75 В постоянного тока; Напряжение выключения (мин.): 0,45 В постоянного тока; Тип монтажа: Сквозной.

    1116173-4 : 8 КОНТАКТОВ, ГНЕЗДО, ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ РАЗЪЕМ ДЛЯ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ И ДАННЫХ, ПРИПОЙКА, РАЗЪЕМ.s: Приложения: телекоммуникации / данные / сетевые разъемы; Женский пол ; Типы разъемов: ПРИПОЯ ; Количество контактов: 8.

    11000 : 5 КОНТАКТОВ, ПУ/ПВХ, ВТУЛКА, КРУГЛЫЙ СОЕДИНИТЕЛЬ. s: Пол: Мужской; Способ крепления: CableEnd; Количество контактов: 5.

    %PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 4 0 объект (Вступление) эндообъект 5 0 объект > эндообъект 8 0 объект (В поисках универсальной машины) эндообъект 9 0 объект > эндообъект 12 0 объект (Программируемая материя) эндообъект 13 0 объект > эндообъект 16 0 объект (Твердотельная программируемая материя) эндообъект 17 0 объект > эндообъект 20 0 объект (Электропостоянный магнит) эндообъект 21 0 объект > эндообъект 24 0 объект (Свойства электропостоянных магнитов) эндообъект 25 0 объект > эндообъект 28 0 объект (Свойства электропостоянных приводов) эндообъект 29 0 объект > эндообъект 32 0 объект ( Робот Камешки ) эндообъект 33 0 объект > эндообъект 36 0 объект ( Миллибот ) эндообъект 37 0 объект > эндообъект 40 0 объект (Как изготовить умный песок) эндообъект 41 0 объект > эндообъект 44 0 объект (Вклады) эндообъект 45 0 объект > эндообъект 48 0 объект (Связанных с работой) эндообъект 49 0 объект > эндообъект 52 0 объект (Миниатюризация) эндообъект 53 0 объект > эндообъект 56 0 объект (Интегральные схемы) эндообъект 57 0 объект > эндообъект 60 0 объект (МЭМС) эндообъект 61 0 объект > эндообъект 64 0 объект (электрические приводы) эндообъект 65 0 объект > эндообъект 68 0 объект (электростатический) эндообъект 69 0 объект > эндообъект 72 0 объект (электротермический) эндообъект 73 0 объект > эндообъект 76 0 объект (электрострикционный) эндообъект 77 0 объект > эндообъект 80 0 объект (Магнитный) эндообъект 81 0 объект > эндообъект 84 0 объект (Механизмы соединения) эндообъект 85 0 объект > эндообъект 88 0 объект (Ковалентный: механическая фиксация) эндообъект 89 0 объект > эндообъект 92 0 объект (Магнитный) эндообъект 93 0 объект > эндообъект 96 0 объект (электростатический) эндообъект 97 0 объект > эндообъект 100 0 объект (Ван-дер-Ваальс) эндообъект 101 0 объект > эндообъект 104 0 объект (Автономные микросистемы) эндообъект 105 0 объект > эндообъект 108 0 объект (Умная пыль) эндообъект 109 0 объект > эндообъект 112 0 объект (Раскрашиваемые вычисления) эндообъект 113 0 объект > эндообъект 116 0 объект (Модульная робототехника) эндообъект 117 0 объект > эндообъект 120 0 объект (Полибот) эндообъект 121 0 объект > эндообъект 124 0 объект (М-ТРАН) эндообъект 125 0 объект > эндообъект 128 0 объект (АТРОН) эндообъект 129 0 объект > эндообъект 132 0 объект (Катомы) эндообъект 133 0 объект > эндообъект 136 0 объект (Запрограммированная самосборка) эндообъект 137 0 объект > эндообъект 140 0 объект (Фанерные модули Пенроуза) эндообъект 141 0 объект > эндообъект 144 0 объект (Электромеханические сборщики Гриффита) эндообъект 145 0 объект > эндообъект 148 0 объект (Магнитные модули Уайта) эндообъект 149 0 объект > эндообъект 152 0 объект (МИШ) эндообъект 153 0 объект > эндообъект 156 0 объект (Магнитный гистерезис) эндообъект 157 0 объект > эндообъект 160 0 объект (гистерезисные двигатели) эндообъект 161 0 объект > эндообъект 164 0 объект (Переключатели Феррида) эндообъект 165 0 объект > эндообъект 168 0 объект (Переключаемые постоянные магниты) эндообъект 169 0 объект > эндообъект 172 0 объект (Электропостоянный магнит) эндообъект 173 0 объект > эндообъект 176 0 объект (Вступление) эндообъект 177 0 объект > эндообъект 180 0 объект (теория) эндообъект 181 0 объект > эндообъект 184 0 объект (Качественный) эндообъект 185 0 объект > эндообъект 188 0 объект (Количественный) эндообъект 189 0 объект > эндообъект 192 0 объект (Сравнение с другими подходами) эндообъект 193 0 объект > эндообъект 196 0 объект (Электростатика) эндообъект 197 0 объект > эндообъект 200 0 объект (Электромагнетики) эндообъект 201 0 объект > эндообъект 204 0 объект (Экспериментальный) эндообъект 205 0 объект > эндообъект 208 0 объект (Материалы и методы) эндообъект 209 0 объект > эндообъект 212 0 объект (Экспериментальная установка) эндообъект 213 0 объект > эндообъект 216 0 объект (Полученные результаты) эндообъект 217 0 объект > эндообъект 220 0 объект (Качественный) эндообъект 221 0 объект > эндообъект 224 0 объект (Количественный) эндообъект 225 0 объект > эндообъект 228 0 объект (Вывод) эндообъект 229 0 объект > эндообъект 232 0 объект ( Робот Камешки ) эндообъект 233 0 объект > эндообъект 236 0 объект (Вступление) эндообъект 237 0 объект > эндообъект 240 0 объект (Дизайн модуля) эндообъект 241 0 объект > эндообъект 244 0 объект (Дизайн разъема) эндообъект 245 0 объект > эндообъект 248 0 объект (Электронный дизайн) эндообъект 249 0 объект > эндообъект 252 0 объект (Механический дизайн) эндообъект 253 0 объект > эндообъект 256 0 объект (Полученные результаты) эндообъект 257 0 объект > эндообъект 260 0 объект (Усилие фиксации пары модулей) эндообъект 261 0 объект > эндообъект 264 0 объект (передача энергии) эндообъект 265 0 объект > эндообъект 268 0 объект (Эксперименты по саморазборке) эндообъект 269 ​​0 объект > эндообъект 272 0 объект (Эксперименты по самосборке) эндообъект 273 0 объект > эндообъект 276 0 объект (электропостоянные приводы) эндообъект 277 0 объект > эндообъект 280 0 объект (Вступление) эндообъект 281 0 объект > эндообъект 284 0 объект (Электропостоянный энергетический цикл) эндообъект 285 0 объект > эндообъект 288 0 объект (Динамика электропостоянного привода) эндообъект 289 0 объект > эндообъект 292 0 объект (Настройка модели) эндообъект 293 0 объект > эндообъект 296 0 объект (Результаты модели) эндообъект 297 0 объект > эндообъект 300 0 объект (Фундаментальный предел эффективности) эндообъект 301 0 объект > эндообъект 304 0 объект (Механизмы потерь в электропостоянных приводах) эндообъект 305 0 объект > эндообъект 308 0 объект (Доказательство) эндообъект 309 0 объект > эндообъект 312 0 объект (Данные характеристики электропостоянного привода) эндообъект 313 0 объект > эндообъект 316 0 объект (Двигатели с постоянными магнитами на низком пределе скорости) эндообъект 317 0 объект > эндообъект 320 0 объект (Электропостоянный шаговый двигатель) эндообъект 321 0 объект > эндообъект 324 0 объект (Принцип действия) эндообъект 325 0 объект > эндообъект 328 0 объект (Дизайн) эндообъект 329 0 объект > эндообъект 332 0 объект (Результаты экспериментов) эндообъект 333 0 объект > эндообъект 336 0 объект ( Миллибот ) эндообъект 337 0 объект > эндообъект 340 0 объект (Вступление) эндообъект 341 0 объект > эндообъект 344 0 объект ( Миллибот ) эндообъект 345 0 объект > эндообъект 348 0 объект (Номер армрестлинга) эндообъект 349 0 объект > эндообъект 352 0 объект (Складная геометрия) эндообъект 353 0 объект > эндообъект 356 0 объект (Механический дизайн) эндообъект 357 0 объект > эндообъект 360 0 объект (электрический дизайн) эндообъект 361 0 объект > эндообъект 364 0 объект (Процесс сборки) эндообъект 365 0 объект > эндообъект 368 0 объект (Полученные результаты) эндообъект 369 0 объект > эндообъект 372 0 объект (Вывод) эндообъект 373 0 объект > эндообъект 376 0 объект (Сравнение с родственной работой) эндообъект 377 0 объект > эндообъект 380 0 объект (Резюме) эндообъект 381 0 объект > эндообъект 384 0 объект (Уроки выучены) эндообъект 385 0 объект > эндообъект 388 0 объект (Уроки высокого уровня) эндообъект 389 0 объект > эндообъект 392 0 объект (Уроки соединителя) эндообъект 393 0 объект > эндообъект 396 0 объект (Моторные уроки) эндообъект 397 0 объект > эндообъект 400 0 объект (Практические уроки из лаборатории) эндообъект 401 0 объект > эндообъект 404 0 объект (Электрический расчет микромодуля) эндообъект 405 0 объект > эндообъект 408 0 объект > поток xWK6Qj(Q:fCiLEʶmCR^$΋*~~MpDIʢb#cx4*6ny5a6OH,;R`haMҪ -[A5.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.